简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：传统的电容器组补偿由于响应时间慢,不能动态跟踪电网进行补偿等缺点,已经无法适应未来智能电网的发展方向,本文把SVG和电容器组进行对比,阐述了SVG的原理、技术优势和电容器组的缺点。以SVG为代表的新型无功补偿设备技术先进可靠,有广泛的应用市场前景。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：对两种带有CAN控制器的微控制器的体系结构、内部特点、内置的CAN控制器、以及应用领域等进行了比较．详细介绍了它们在内置CAN控制器方面的区别。提供了在不同应用领域选择不同微控制器的新思路。

简介：分段长定子永磁直线电动机能够形成车道，是工业上物流系统中的一种有效方法。有种电机在控制上存在一些缺点，如存在齿槽力、过渡区存在力削弱以及饱和现象。本文利用有限元法得到的三维表并将其作为前馈量的方法来比较磁场定向控制和间接定子磁通控制，相应实验结果在文中给出。

简介：在德国，第一台大型的变速风电机组（3MW，风轮直径达100m）诞生于1980年，但是由于机械问题，该项目并不是很成功。那时候，电力电子器件的成本相当的高，因此，风电机组就经常采用具有很小滑环的双馈异步发电机来节省电力电子器件的成本。

简介：SMT即表面贴装技术，是随着电子产品的发展，特别是随着材料及加工工艺的进步而产生并随之发展。

简介：6月1日，“2009台达杯国际太阳能建筑设计竞赛颁奖典礼暨杨家镇台达阳光小学奠基仪式”在四川隆重举行，国务院参事、中国可再生能源学会理事长石定寰，中国建筑设计研究院副院长刘燕辉、台达电子集团董事长郑崇华、国家住宅与居住环境工程技术研究中心主任仲继寿、台达环境与教育基金会中国首席代表王其鑫等人出席了这一盛大典礼。