简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:本文主要针对盲槽产品的制作流程及加工方法的控制作探讨,盲槽孔主要是利用已经钻好槽孔板和PP与另一张板进行压合形成。压合盲槽板时PP上所钻的槽孔大小设计/品质及PP本身流胶量严重影响成品盲槽的品质,本次主要以影响盲槽孔品质的几个因素作实验层别:PP槽孔大小分别比成品槽孔单边大0.4mm、0.6mm、0.8mm;PP厚度15mil3张;Pp铣槽孔时叠板数为6、9、12。结论:PP槽孔单边大0.8mm最优,15mil厚的PP铣板叠板数9张时铣出的PP压合后槽孔品质符合要求,叠板数越少铣槽的效果越好;介层总厚度相同时,PP选用的张数越少压合时流胶越少,盲槽孔孔形越好。