简介：日前在法国召开的多处理器系统级芯片（MPSoC）论坛上．IBM系统与技术事业群技术开发与联盟副总裁LisaSu发表主题演讲时指出，系统级芯片（SoC）的性能提升将取决于集成设汁系统创新。

简介：系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封装集成技术的一些重要发展和面临的挑战。

简介：各有关单位：集成电路产业是国家战略性新兴产业，是国民经济和社会信息化的重要基础。近四十年来，集成电路领域实现了飞速发展，集成电路也因此成为信息产业的核心内容。当前我国集成电路产业发展处于关键时期，国家高度重视我国集成电路产业的发展并出台了一系列政策。《国家集成电路产业发展推进纲要》和《中国制造2025》的出台，为我国集成电路产业实现跨越式发展注入了强大动力，中国集成电路产业面临着前所未有的发展机遇。集成电路设计业作为产业龙头，作为技术和产品创新的主要环节，在产业发展中承担重要责任。

简介：初夏6月，送走了最后一位学生，由珠海南方集成电路设计服务中心主办的2007年第一期全国微电子专业大学生实习活动顺利落下帷幕。

简介：文章概要叙述了＂集成创新＂来发展我国PCB工业的重要意义。

简介：<正>本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。九十

简介：由中国半导体行业协会、湖南省经济和信息化委员会和“核高基”国家科技重大专项总体专家组共同主办，长沙经济技术开发区管委会和湖南省集成电路产业联盟共同支持。

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简介：轿车和卡车的电子系统算得上最恶劣的集成电路（IC）应用环境之一。这些IC的封装必须通过一系列严苛程度远超常见消费类以及商业和工业环境的测试。

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简介：在适应我国集成电路产业的快速发展,让企业界、投资界、教育界及时、详尽地了解世界和我国集成电路技术和产业的发展进程的科技工作者强烈需要的大背景下,2015年,在多名专家的支持下,由王阳元院士提出了撰写《集成电路产业全书》（《全书》）的动议,在468位撰稿人、125位审稿人的共同努力下,经过三年的不懈努力。

简介：近日，由厦门市集成电路行业协会主办的集成电路政策分享会在厦门软件园二期管委会举行，来自厦门及周边地区80多家集成电路相关单位、近百名相关行业代表参加会议。厦门市科技局、市人社局、市经信局等业务主管单位代表出席会议并做政策解读。

简介：在全球经济低迷的今天,中国的集成电路行业也是跌宕起伏。2009年即将过去,岁末年初,回顾过去、感知现在、展望未来,对于行业的健康发展或许会有所帮助。

简介：尊敬的各位领导、各位代表、女士们、先生们、朋友们,大家上午好!2013年中国半导体行业协会集成电路设计分会年会,今天在合肥成功召开了.受理事会委托,我就过去一年中国集成电路设计业的总体发展情况向大会做一报告,报告的题目是：迎接中国半导体产业的新一轮发展高潮.

简介：

简介：据上海市集成电路行业协会（SICA）对上海120家主要集成电路企业的统计，08年上半年销售额总收入为202．96亿元，同比增长4．1％。

简介：ADI公司最近发布了四通道、12位／单通道、14位的180MSPS波形发生器AD9106／AD9102，均片内集成静态随机存取存储器（SRAM）和直接数字频率合成器（DDS），用于复杂波形生成。

简介：近日，工业和信息化部软件与集成电路促进中心（CSIP）在京发布了《中国集成电路产业人才白皮书（2016—2017）》。这是我国首部集成电路产业人才专题的白皮书，对我国集成电路产业人才的供需状况进行了全面的分析和总结。CSIP同期举办了主题为“如何营造适合中国集成电路产业发展的人才培育环境”的论坛。中国教育学会会长、原北京师范大学校长钟秉林，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武，中国电子信息产业发展研究院院长兼工业和信息化部软件与集成电路促进中心（CSIP）主任卢山，工业和信息化部电子信息司副处长龙寒冰等出席并致辞。来自展讯通信、中芯国际、清华大学、中科院等业界代表共计100余人出席了活动。

简介：深圳市中兴集成电路设计有限责任公司现已正式更名为国民技术股份公司。新的公司名称将更有助于这家高科技企业树立更具亲和力的形象，使公司有了向新领域发展的形象基础。更名后的公司将一如既往地延续这种迅猛的发展势头，在安全芯片、无线芯片、通讯芯片等主要市场领域继续保持领先态势。公司强调，将加大研发资金，在安全SoC和射频产品两大核心技术发展方向上，占据市场的制高点。

简介：本文介绍3.1-4.8GHzMB-OFDM系统的CMOS射频收发器。电路采用直接变频架构,由接收器、发射器和频率综合器组成。采用PGS隔离技术和其他隔离措施完成了单片射频收发器的版图布局。后仿真结果表明,接收链路可提供的最大增益为72dB,其52dB为可变增益,三个子频带内噪声系数介于5.2-7.8dB,带外IIP3不低于-3.4dBm。发射链路可提供的可控输出功率-8dBm到-2dBm,输出1dB压缩点不低于4dBm,输出信号边带抑制约44dBc,载波抑制不低于34dBc。频率综合器在三个频点间的跳变时间小于9ns。芯片采用Jazz0.18μm射频CMOS工艺设计,面积为6.1mm2。在1.8V电源电压下,总电流约221mA。