简介：中国国内集成电路产值只能满足市场需求的近20％！目前中国集成电路（IC）产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，出现了长江三角洲、珠江三角洲和环渤海地区三个相对集中的产业区域，建立了多个国家集成电路产业化基地。芯片制造的工艺技术水平已进入国际主流领域，设计和封装技术接近国际水平。但是在全球集成电路产业中，中国仍然处于比较弱小的地位，落后于美国、欧洲。

简介：中国集成电路产业发展现状2003年中国集成电路产业仍然呈现高速增长的势头,全年国内集成电路总产量达到131.4亿块,首次突破100亿块,同比增幅为39.3%.全行业共实现销售收入351.4亿元(折合为42.34亿美元),同比增幅为30.9%.全行业近三年发展状况见表1.

简介：集成电路是现代信息产业和信息社会的基础，是改造和提升传统产业的核心技术。随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的战略地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。

简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：摘要：当前，为解决由于标准缺失而导致的维预测性维护流程不清晰、预测模型构建不规范、关键参数选取标准不统一、导致预测结果不准确等问题，本文在分析集成电路封装关键设备远程预测性维护标准需求和国内外标准现状的基础上，开展集成电路封装关键设备远程运维预测性维护标准研究，包括基本流程要求、数据采集与处理要求、状态监测要求、故障模式识别要求、维修决策优化要求，并介绍了项目研究过程中突破的一些关键技术。

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简介：高端应用:避免同国外企业肉搏现阶段,作为企业行为而言,我们应避免在计算、通讯等高端应用领域(如通用CPU、高速通讯芯片等)中同国外企业展开直接竞争.这是因为一方面我们的力量还很弱小,还不具备同国外先进企业直接竞争的实力.

简介：在全球经济低迷的今天,中国的集成电路行业也是跌宕起伏。2009年即将过去,岁末年初,回顾过去、感知现在、展望未来,对于行业的健康发展或许会有所帮助。

简介：根据工业和信息化部,＂十三五＂时期,我国集成电路产业发展要坚持《国家集成电路产业发展推进纲要》确定的需求牵引、创新驱动、软硬结合、重点突破、开放发展的基本原则,抓创新能力提升,突破一批关键共性技术;抓重大生产力布局,实现产业集聚与协调发展;抓国家战略与重大市场需求联动,增强重点产品有效供给。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：本文旨在探讨集成电路制造工艺的最新进展与未来趋势。随着科技的发展，集成电路技术已成为推动现代信息技术发展的核心力量。从纳米级制程到新材料应用，集成电路制造工艺不断突破极限，提高了芯片的性能和集成度。本文将详细介绍集成电路制造工艺中的光刻、蚀刻、离子注入等关键技术，以及极紫外光刻、堆叠晶体管等新兴技术，为相关领域的研究和产业发展提供参考。

简介：摘要：集成电路在我们日常生活中扮演着越来越重要的角色，而电子设备的工作环境是一个非常复杂的系统，在这个系统中，静电和电磁干扰是非常常见的问题。当电子设备被这些问题困扰时，静电放电（ESD）会导致电子设备发生故障甚至损坏。在许多情况下，静电放电对集成电路产生干扰，如信号完整性问题和逻辑电路错误。为了防止这些问题对电路造成严重损害，有必要了解ESD的基本原理并掌握，同时做好防护措施。本文将从静电放电的基本原理和基本防护措施两个方面入手，详细介绍集成电路ESD防护措施。

简介：摘要当今社会已进入信息技术时代，集成电路已经被广泛应用于各个领域，典型的集成电路制造过程可表示如下

简介：

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。

简介：摘要：看现代信息技术社会，发展的核心还是现代微电子科技，0.5硅导电材料仍以现代微电子科技为主。大直径单晶硅面板的生产是进一步集成集成电路的基石，如何有效控制其差异点，二级缺口仍有待克服重大技术挑战。大型集成电路的科技生产是发展中的技术，只有掌握最先进的技术才能在国际竞争中占据国际市场。但是，由于缺少一些材料，新元件设计技术的原理和0.5导体的先进新技术的开发仍在探索之中，集成电路制造技术的水平也将继续提高到新的水平。笔者结合自身多年工作经验，本次主要针对集成电路制造工艺探析，展开深入论述，所得文献与同行业人员共享，望对行业的前进起到一定的促进作用。

简介：摘要：在现代电子设备的发展中，集成电路扮演着至关重要的角色。从微处理器到移动设备，从通信系统到嵌入式系统，都需要高度复杂且性能卓越的VLSI电路来实现各种功能。因此，VLSI电路设计与集成电路优化成为了确保电子产品性能和功能的关键。VLSI电路设计的核心任务包括将高级逻辑功能描述转化为门级电路，并在考虑时序、功耗和面积等因素的情况下进行优化。这需要采用各种工具和技术，如逻辑综合、布局设计和布线设计。同时，电路的时序特性需要特别关注，以确保电路在指定的时钟频率下正常工作。电路的功耗也是一个重要的考虑因素。随着移动设备的普及，低功耗设计成为了迫切需求。通过电源管理、电压频率调整和逻辑优化等技术，工程师可以降低电路的功耗，延长电池寿命。此外，电路的面积也需要最小化，以降低制造成本。面积优化方法包括逻辑重用、共享逻辑资源和多核设计，以确保芯片的物理布局紧凑而高效。最后，电路设计还需要考虑制造工艺的可行性和电路的可靠性。制造工艺的不完美性和变化会影响电路的性能，因此需要进行适当的工艺控制和优化。同时，电路设计也应考虑到故障容忍性，以确保电路在面对不可避免的故障情况时仍能正常运行。

简介：目前，中国人民银行颁布了《中国金融集成电路（IC）卡规范》（2010年版）（以下简称《规范》）。《规范》立足中国金融IC卡发展现状，汲取国际先进IC卡技术，总结国内金融IC卡应用试点经验，修订了我国金融IC卡应用的行业标准，具有较强的自主创新性，体现了我国金融标准化建设的最新进展，为我国金融IC卡产业的健康发展奠定了坚实的基础。