简介：介绍工厂小电流接地系统的特点;介绍单片机、外围硬设、A/D转换等以及利用该系统实现接地报警。

简介：<正>2015年1月28日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布用于工业电源系统的新系列中性点接地电阻—NGR系列器件。MilwaukeeResistors(VishayDaleResistors的产品线)NGR系列器件由Vishay公司的GRE1高功率、高电流栅极电阻组成,安装在耐用、耐候,具有极高电压隔离的IP23外壳里,具有高线路中性点和系统电压,工作温度可达+760℃。NGR系列电阻能方便地直接替换竞争方案,可为Y形(星形)配置的发电

简介：

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。

简介：在模拟电路的设计中，经常会用到一种特殊的夹层电阻，但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构，对其原理进行了详细的分析，在此基础上，利用该夹层电阻，设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。最后，又对该振荡器进行优化改进，使其能适应3～30V的宽工作电压，并且在5．5～30V范围内保持输出频率不变，进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。

简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：本文主要阐述了微机控制的液体电阻起动器的工作原理、性能特点、结构,以及微机控制系统的实现。

简介：本文介绍了一种新型的厚膜片式NTC产品，它在制造过程中应用了很多厚膜片式电阻器的工艺方法、材料、设备等，包括引出电极、保护层等图形的成型。产品使用了一种夹层式、紧凑的结构。这种制造方法效率高，而且产品质量稳定，在使用上有许多突出的特点，是一种具有创新性的产品。在文中重点说明了该产品的结构及其制备方法，并在产品的突出特点方面作了简单的对比说明。

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简介：由使用0.15mGaAspHEMT(pseudomorphic高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路(MMIC)是presented.With电路结构上的小心的优化，这个二阶段的电源放大器从33GHz与1dB的变化完成15.5dB的模仿的获得到超过在浸透的30dBm的模仿的产量电源能与最大的电源从3WDC供应被拉的37GHz.A26%.Rigorous的增加的效率(PAE)电磁的s

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N＋S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

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简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.推出0402和1206外形尺寸的器件,扩充其PATT精密车用薄膜片式电阻家族。器件提供镀金接头,可适应传统的焊膏组装和导电胶合电路板安装技术。薄膜PATT电阻的工作温度范围比大多数传统电阻宽85℃,在100%的散热功率下的工作温度可达+155℃,线性降额时温度可达+250℃。器件通过AEC-Q200认证,具有±25ppm/℃的绝对TCR,经过激光微调的公差低至±0.1%。电阻芯采用钽氮化物技术制造,具有固有的

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