简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：结合硬盘、固态存储和纳米存储技术的发展状况,回顾了磁存储技术发展历程,着重介绍了各硬盘厂家应对存储密度提升瓶颈而开发的HAMR、BPM、SWR、DTR等新兴磁记录技术,分析了热点固态存储缺陷点和存储密度提升前景,同时对当前存储领域研究热点的纳米管存储原理和前景进行了阐述,最后就存储技术现状及趋势提出了未来几年内存储领域的格局和纳米存储的发展重点,期望能为存储系统及信息系统技术规划提供参考。

简介：DKN研究所联合NY工业公司，日前成功研发一种完全采用印刷技术生产高密度软板的牛产工艺。这种新技术能生产出单面、双面和多层PCB，而且能够植入主被动组件。采用丝网印刷的技术，可以形成30微米的线路和间距，完全可以和传统蚀刻技术相媲美，此技术并兼具环保，因为不存在化学的湿处理过程。

简介：为了满足小口径天线卫星宽带数据广播的业务增长需求，WRC-03曾对高密度固定卫星业务（HDFSS，high-densityfixed-satelliteservice）作了专题探讨，并在Ka频段中规划出一段频率资源供其使用。实际上，泰国Shin卫星公司早就投巨资建造类似HDFSS应用的iPSTAR卫星和相关通信系统。尽管卫星通信市场尚处不景气中，iPSTAR计划一拖再拖，但iPSTAR卫星仍在2005年8月发射升空，并将在年内投入使用。本文拟从分析iPSTAR着手，推测并探讨HDFSS的技术特点与应用可能性。

简介：1引言通过对几乎多达10亿个焊接接点的广泛研究,终于揭示了印刷电路板组件(PCBA)上元件的缺陷密度和最常见的缺陷.在1999年,对欧洲和北美的15家不同公司的某些产品数据进行了研究,其中包括8家原设备制造厂(OEM)和7家电子制造服务(EMS)提供商.所有的公司都使用自动的X射线检查(AXI)来研究多达10亿个焊接点的综合情况.

简介：当跟踪目标属于隐身目标、低空目标或处于强杂波和干扰环境,都会导致雷达的目标检测概率降低,丢失率较高。因此,本文着重研究PHD算法在检测概率较低的情况下跟踪稳定性不佳的缺陷,找出了一种适用于低目标检测概率的L-GMPHD滤波,通过对前一时刻状态估计值外推,若发生漏检,则将外推值加入当前时刻状态估计值中,确保了目标的状态估计不被裁剪去除。从MATLAB仿真结果可知,L-GMPHD滤波器处于检测概率较低的情况时,能够明显改善目标跟踪的稳定性。该方法能够保持高精度的多目标跟踪,具有良好的工程应用前景。

简介：高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。

简介：

简介：主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100W、接收通道增益大于8dB、体积90mm×80mm×37mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。

简介：针对传统多目标概率假设密度（PHD）滤波器在低检测概率情况下跟踪精度低和失跟率高的问题,提出了一种改进的概率假设密度滤波算法。该算法利用高斯混合PHD（GM-PHD）滤波器进行PHD预测和PHD更新,处理过程中通过修正上一拍权值大的高斯项,并在处理当前拍时保证其权值的稳定性,以保证算法的高精度。仿真结果表明,在低检测概率情况下,该算法可较好估计目标数和目标状态。与传统GM-PHD滤波器比,该算法跟踪精度大幅提高。

简介：通过对时域信号的自相关时间均值函数做傅氏变换，推导出定周期跳时脉位调制超宽带脉冲序列的功率谱密度公式，形式更加简明；并分别在时域和频域进行仿真、分析，比较两种仿真结果，同时分析了跳时码周期和时延常数等参数对谱密度结构的影响，验证了推导结果与时域仿真的一致性。

简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

简介：文章对应用于航天计算机系统封装的大腔体高密度高可靠高温金属化陶瓷管壳，根据用户提出的特殊要求，从设计到工艺，较详细论述其研制过程、关键工艺、技术难点、以及与通常的DIP、CQFP、CLCC、CPGA等的不同之处，并指出今后需要努力的方向。

简介：据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。