高功率密度GaN HEMT-中国期刊网

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（整期优先）网络出版时间：2004-02-12

作者: 周慧

电子电信 >物理电子学

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<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

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