简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%。MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿

简介：随着人们绿色节能意识的提高，电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起，同时也推动了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率半导体等产品的应用变得愈来愈普及。这是导致去年下半年以来市场上出现MOS—FET等功率半导体供货紧张的重要原因之一。相关消息显示，当前市场上的MOSFET缺货潮已经延续超过半年之久，随之出现的则是涨价与交期延长。不过这种情况的出现，对于我国功率半导体行业来说又是一个难得的发展机遇，不应轻易放过。

简介：<正>据报道,英飞凌科技股份公司连续7年高居全球功率半导体和模块市场榜首。据IMSResearch最新报告,全球功率半导体市场规模缩减21.5%,由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减,但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位,市场份额上升1.3个百分点,达到24.3%;在北美和南美地区,其市场份额

简介：<正>日前,从郭庄空港新区传出消息:由南京客商投资的江苏时瑞电子科技项目签约郭庄,总投1.4亿元。这标志着国内最大半导体敏感元器件项目牵手空港新区,也必将为该地区的产业升级发展注入新的活力。

简介：与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括：栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

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简介：在全球电子行业稳步发展的大环境下,不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好,据美国半导体产业协会公布的数据显示,半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两年间,半导体市场成长率将保持了7.9%左右,半导体分立器件应用范围的不断拓展,将为行业发

简介：<正>半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。国家产业政策的大力扶持2009年,国务院发布《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级,充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器件产品结构,提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：在大功率半导体激光器列阵及叠阵的组装中，焊料的选择是极其关键的，因为焊料直接参与对激光器的导电、导热。激光器所需的电流全部从焊料通过，而半导体激光器列阵或叠阵工作时电流是很大的，可达50A～100A，同时半导体激光器工作时产生的热量非常大，如焊料的导热性不好，由于电流的热效应，就会在焊料上产生巨大的热量，使焊料熔化，文中研制了一种新型的焊料，这种焊料在两层铟之间蒸镀几层金，焊料由钨／镍／金／铟／铜等多层金属构成，利用这种焊料研制出脉冲功率达100W的半导体激光器列阵。

简介：我国首家12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目试生产阶段取得实质性进展。据悉，该项目封装测试厂试生产阶段月产能40亿颗，预计10月份正式投产，年底月产能将达到180亿颗。作为全球第一家集12英寸芯片及封装测试为一体的功率半导体企业，该项目投资总额10亿美元，分两期建设。一期投资5亿美元，主要建设规模为月产2万片12英寸功率半导体芯片、月产500亿颗功率半导体芯片封装测试.

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

简介：新兴市场碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。

简介：随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高.清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步.

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