随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是误差大。基于二维电势模型，使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程，并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下，热电子发射电流已经无法忽略，因而考虑了热电子发射电流并联的影响，最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比，验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阚值区的电流。
宿州学院学报
2014年4期
