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基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型

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摘要随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是误差大。基于二维电势模型，使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程，并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下，热电子发射电流已经无法忽略，因而考虑了热电子发射电流并联的影响，最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比，验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阚值区的电流。

DOI pd5ez072d7/1336847

作者韩名君;李长波;钱峰;陶玉贵

机构地区不详

出处《宿州学院学报》 2014年4期

关键词 MOSFET 亚阈值电流二维电势模型热电子电流

分类 [文化科学][教育学]

出版日期 2014年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）