简介：欧盟RoHS指令的颁布实施使印刷电路板步入了无铅时代,这对电路板的耐热性能提出了更高的要求。热分析技术是一种分析测试材料的性质与温度关系的技术。本文介绍了热分析技术——差示扫描量热法(DSC)和热机械分析法(TMA)在印刷电路板性能测试中的应用,并比较了它们各自的特点和主要影响因素。

简介：主要介绍了纳米银材料的不同制备方法和表征方法，总结了不同合成条件对纳米银形貌的影响。有化学还原法、光化学还原法、银材料具有不同的光、电、磁和催化性能，出纳米银材料除了用于导电油墨的开发外，成本。电化学还原法和置换法。不同结构的纳米在PCB生产上具有极好的应用前景，特别指作为催化剂代替金属Pd能够有效降低生产成本。

简介：以二水合氯化钯为原料，PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂，抗坏血酸（从）为还原剂，在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL），透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析，结果显示，在PVP分散剂的作用下，得到的纳米钯为粒径8nm～22nm，无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液，可以减少沉铜的工艺步骤，经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级，通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。

简介：近年来因全球经济的复苏，中国制造业已经巩固了全球生产基地的龙头地位，数码电器产品需求旺盛，带动了中国电子制造产业地蓬勃发展，特别是中国电路板产业更是在两年的高速发展周期下，国内的PCB市场总产值超过600亿人民币，从而继美国之后发展成为全球第二的生产大国，同时PCB产业的产值突破100亿美元，超过日本成为全球第一。

简介：在降低成本的因素驱动下,微型钻头钻径的结构发生明显工艺变化。PCB微细槽钻加工工艺变更前采用的等径焊接工艺,变更后采用大小平焊。变更可行评估评价指标:焊接强度、对比孔位精度、批次测试孔位精度及孔粗,极限测试断刀及脱焊、磨损情况。

简介：本文对一种非聚四氟乙烯微波多层印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍，对所采用的层压工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述。

简介：刚挠结合印制板向高密度互联方向发展，要求线路更细，导通孔直径更小。适合刚挠结合印制板的微导通孔加工工艺在刚挠结合印制板制造工艺中起着关键作用，微孔加工工艺中普遍采用激光技术。文章分析了激光微孔加工中的各影响因素，用正交试验法作对比试验，优化各因素参数，讨论了各因素与基板材料的关系，并拟合出方程定量描述此种关系。根据优化方程选取激光微孔参数，在挠性与刚性基板材料上取得理想效果。

简介：高密度互连（HDI）板是为适应终端客户电子产品轻便化，集成化的使用要求而在近年蓬勃发展的一类新兴工艺。采用高密度的激光微盲孔导通层间线路是制作HDI板的关键技术之一。将HDI应用在刚挠结合板中一个明显的问题是由于刚挠结合板材料繁多，介质多变而导致激光盲孔的加工条件复杂化，可靠性难以保证。文章以刚挠结合板为研究对象，将激光盲孔设计在混合介质（PI与PP及PI与纯胶）中，分别研究对比了激光盲孔加工方法，加工工艺流程对加工激光盲孔的影响，结合扫描电镜（SEM、EDS）和微切片技术对激光盲孔微观形貌分析，并通过IST和回流焊可靠性测试，试验验证了采用常规PP激光钻孔参数，通过化学除胶即可得到满足可靠性要求的激光盲孔处于PI／PP混合介质层中刚挠结合板，为生产控制提供指导方向。

简介：北京大学微电子学系和研究院有着源远流长的学术渊源,发展历史可以追溯到1956年由著名物理学家黄昆院士领导在北大物理系创建的我国第一个半导体专门化,在中国微电子科学技术

简介：高频传输下,材料对讯号完整性影响越显重要。本文介绍目前主流的低损耗挠性板叠构,并探讨低损耗纯胶与高频基材叠构方案,从五种市售低损耗纯胶选材,到产品制作设计的重点测试项目。文章选出一款可兼具贴合主流LCP及PI基板并且符合挠性板信赖性需求之低损耗纯胶,从产品实测插入损耗数据显示,亦具有良好电性。

简介：文章通过对覆铜板用电子级玻璃纤维布基材行业内浸润性测试方法的分析和研究，提出了一种可自动测试电子级玻璃纤维布基材在树脂中浸润性的分析方法，通过该方法可以快速比较出不同电子级玻璃纤维布基材的浸润性优劣。

简介：PCB多层板的制作由多张内层芯板压合而成,而影响芯板图形对准的关键因素为各层别芯板的涨缩值。本文阐述了通过建立计量模型预测菲林系数,达到控制和提高压合精准度的研究过程。分别从方法、过程和结果等几方面,对补偿系数控制进行了详细说明。

简介：山东大学是我国历史最悠久的著名大学之一。一百年来,山东大学汲取着齐鲁文化的营养,秉承学术自由,兼容并包的办学理念,破门户之囿,采百家之长,形成博大精深、历久弥新的文化底蕴;注重人文精神、崇尚科学理念、文理医工多学科协调发展的办学思想。山东大学多屏幕微机研究所成立于1993年初,是利用一项发明专利技术——多屏幕微机而设立

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：分级分段板边插头（金手指）由于其结构复杂，经常发生板边插头难以插入连接器的状况本文通过对PCB板边插头与连接器尺寸匹配关系的研究，找到了影@PCB板边插头与连接器配合的关键因素，为后续板边插头与连接器的关键尺寸管控提供了重要依据，

简介：赛灵思公司日前宣布其最新一代Virtex-6FPGA系列兼容PCIExpress2．0标准，与前一代产品系列相比功耗降低50％，与竞争产品相比性能提高15％。在Virtex～6FPGA中集成的第二代PCIe？模块已经通过了1—8通道配置的PCI—SIGPCIExpress2．0版本兼容性与互操作性测试，进一步丰富了赛灵思及其支持广泛采用的串行互连标准的联盟成员的设计资源。

简介：文章采用4-乙酰氧基苯甲酸（ABA）6-乙酰氧基-2-萘甲酸（ANA）共缩聚合加入4，4、二氨基二苯醚（ODA）聚醚酰亚胺（PEI），通过刚性棒状大分子链受热熔融形成一种兼有固体和液体的部分性质的液晶态聚合物通过涂布延伸，二阶段溶浸聚合溶融缩聚制备LCP基板卷材。

简介：应用材料公司推出AppliedSEMVisionG5系统，进一步提升其在缺陷检测扫描电子显微镜（ScanningElectronicMicroscope，简称SEM）技术的领导地位，这是首款可供芯片制造商用于无人生产环境的缺陷检测工具，能拍摄并分析20纳米影响良率的缺陷。

简介：在POE（PowerOverEthernet）系统的终端受电设备中，限流保护调节电路保证了其稳定可靠工作。根据IEEE802．3af标准规定，受电设备开关电源启动到正常工作的过程中，电流要限制在100mA以内，在正常工作情况下电流要限制在390mA以下。本设计通过栅源比例电阻使采样功率管栅源电压与输出功率管的栅源电压保持一致，采样功率管精确采样输出功率管的电流值，采样电流经栅源比例电阻转换为电压后，调节输出功率管栅源电压，来完成PD（PowerDevice）限流保护。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。