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关于STI TOP形貌与晶体管特性的关系的研究

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摘要随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

DOI g4q2nzwn48/2050996

作者王飞

机构地区不详

出处《中国集成电路》 2003年46期

关键词浅沟槽隔离 STI 晶体管 MOS器件

分类 [电子电信][微电子学与固体电子学]

出版日期 2003年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）