简介:今年7月1日起将正式开始实施两个“指令”(RoHS和WEEE)。这意味着:实施无铅化将对世界电子产品制造业带来一个大的转变,它是新的世界性无铅化技术、管理和市场的开始、是电子产品走向无铅化时代的到来。本刊将林全堵主编纂写的《电子产品实施无铅化是一个系统工程》一文分五期刊登。该文从“电子产品实施无铅化的提出”、“无铅化焊料及其特性”、“无铅焊料的焊接”、“电子元(组)件的无铅化”、“实施无铅化对CCL的基本要求”、“实施无铅化对PCB基板的主要要求”、“实施无铅化对标准与范围的影响”等7个方面进行了较详细的论述,其目的是使同行和读者对电子产品实施无铅化有一个较全面的理解和掌握。我们必须认识到:实施无铅化不仅仅是PCB制造上的问题,而是涉及到诸多方面的一个系统工程问题,从而使我们站在“系统工程”的高度上来研究、分析、设计和解决实施无铅化过程中可能遇到的问题。
简介:本文提出一种可编程扩频时钟发生器采用小数分频锁相环,扩频是以三角波通过∑△调制器调制反馈分频器的方式实现。为了提高宽扩展比,采用一种技术保持三角波在∑△调制器的输入范围内。使用的相位旋转技术由虚拟多相产生方法和相位补偿方法组成。该技术能有效地补偿瞬时时序误差和量化误差。可编程的时钟频率200-800MHz伴随中心和向下扩展(0~10%),RMS周期抖动在输出时钟在800MHz是7ps。测试芯片在40纳米CMOS制造技术提供了输出时钟800MHz时有10%扩张率,在10%扩频比时峰值减少是30分贝。所提出的可编程扩频时钟发生器从1.1V电源消耗5.181mw,设计仅占0.105mm2的面积。
简介:2009年11月4日至6日在江西九江召开了六项国家标准的预审会。这六项国家标准的修订工作分别由四家单位负责完成,分别为:九江福菜克斯负责修订GB/T13555《印制电路用挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜》和GB/T13556《印制电路用覆铜箔聚酯薄膜》、湖北化学研究所负责修订GB/T14708《挠性印制电路用涂胶聚脂薄膜》和GB/T14709《挠性印制电路用涂胶聚酰亚胺薄膜》、常州麦克罗泰克产品服务有限公司负责修订GB/T13557《印制电路用挠性覆铜箔材料试验方法》、广东生益科技负责修订GB/T4722《印制电路用刚性覆铜板层压板试验方法》。
简介:DDR3SDRAM是新一代的内存技术标准,也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本,随着越来越多的SoC系统芯片中集成DDR3接口模块,设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应用前景。本文在研究了DDR3的JEDEC标准的基础上,设计出DDR3控制器IP软核的整体架构,并使用VerilogHDL语言完成DDR3控制器IP软核。在分析了40nmDDR3PHY测试芯片的基本性能的基础上,设计DDR3控制器IP软核的接口模块。搭建利用AXI总线对DDR3控制器IP软核发出直接激励的仿真验证平台,针对设计的具体功能进行仿真验证,并在XilinxXC5VLX330T-FF1738-2开发板上实现对DDR3存储芯片基本读/写操作控制。在EDA仿真环境下,DDR3控制器IP软核的总线利用率达到66.6%。