简介：判断1:2008年全球LCD芯片市场将达70亿美元由于液晶电视和液晶电脑显示器产品将快速发展,到2008年,全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元.这意味着到2008年,全球LCD芯片销售额将出现17%的复合增长率,而单位出货量将增长29%.LCD半导体市场的快速增长,反映出笔记本个人电脑(PC)显示器面板,台式PC的液晶显示器和液晶电视市场的需求上升.预计笔记本和台式电脑的液晶显示器市场规模亦将自1176亿台增至2.264亿台.

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简介：随着半导体存储器件的小型化、微型化，传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大，对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近，基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件，以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展，并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：<正>日前,批量成像设备供应商得可公司(DEK)大中华区电子组装部总经理黄俊荣表示,随着海外制造工厂向大陆转移,中国大陆电子制造业机会无限,得可对中国市场亦重视有加。不过,中国仍以中小型制造企业居多,SMT大型企业较少,整体制造品质不高。

简介：皇家飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％。

简介：<正>日前,欧洲半导体分销和制造协会DMASS表示,2004年第二季度欧洲电子元器件分销总值为12.2亿欧元,比上年同期增长18.8%,比第一季度增长1%。在四个规模较大的市场中,法国增长速度最快,增长率为21.8%,德国为17.2%,意大利为12.3%,以及英国为6.9%。从产品类型上看,存储器产品独领风骚,在2004年第二季度涨幅达到50%

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简介：本文仅对清洗工艺的选择内容、清洗工艺的选定原则、清洗工艺试验和清洗质量评价,以及对清洗设备的要求和清洗设备的导入验收,从用户角度提出一些认识和看法.

简介：在无线蜂窝通信系统中，不同的频段分配给不同的通信系统导致系统间产生干扰，同时由于各系统采用不同的复用方法来提高频谱效率，以增加系统容量，同时带来了同／邻频干扰。另外，系统还存在由于电波传播的多径效应造成的干扰等。无线干扰信号会给基站覆盖区域内的移动通信带来许多问题，如掉话、通话质量差、信道拥塞等。主要介绍CDMA中可能出现的各种干扰及对这些干扰的定位和处理方法。

简介：1、天线的分类针对我国无线通信网络覆盖的需求，为了对设计、生产、选型及测试进行指导，行业制定了基站天线的标准：YD1059—2004《移动通信系统基站天线技术条件》。

简介：能源测试的误差主要来源于装置误差、环境误差、人员误差、方法误差四个方面,能源测试涉及设备广,测试项目种类多,具体测试中会遇到各式各样的问题,本文就误差理论学习和能源测试实践,对一些常见问题做简要阐述。

简介：本文着重介绍用于对清洗后电路板上的残余离子污染物的测试手段,国外关于此领域的相关标准以及这些相关标准和手段的发展过程.比较了不同仪器的一些主要参数和应用现状,部分用户需求动向和如何满足的方法.

简介：金属墙镶嵌氧化铝陶瓷绝缘子是微波毫米波芯片广泛运用的一种封装外壳形式，而绝缘子则是封装外壳的关键组成部分，它连接了封装外壳内的器件和外部的模块，所以它的特性直接影响所封装器件或模块的微波性能。文章通过对一种现有的镶嵌类封装外壳的陶瓷绝缘子利用电磁场仿真软件HFSS进行微波S参数仿真设计、用普通高温共烧陶瓷（HTCC）工艺加工后，进行测试及改进，减小了陶瓷绝缘子的微波传输损耗和驻波比，从而提高了外壳使用截止频率。

简介：文章介绍了SerialEEPROM的测试原理,提出了一种基于NiosⅡ软核CPU测试SerialEEPROM的方法,该方法具有稳定性高、所需器件少、可编程、低成本等优点.在SerialEEPROM的大量测试中可以代替昂贵的测试系统,是一种性价比较高的替代测试方案.

简介：3G在全球经过几年的观望和徘徊后，2004下半年以来终于在许多国衫地区获得了快速发展，2005年继续保持了这种向上的态势。正如GSM联合会首席执行官罗伯特·康威在2005年3GSM世界大会（3GSMWorldCongress）所说，2005年将是3G证明自己在通信技术中地位的一年（见图1）。同时，全球WCDMA终端需求量迅速放量，终端厂家迫切希望了解进人全球各地市场的认证制度。本文重点介绍了欧盟、北美以及亚洲地区WCDMA终端设备的现行认证测试制度。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET?功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新的SiA923EDJ可用于DC-DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

简介：摘要近年来，随着激烈的竞争，越来越多的手机厂商和经销商更加关注手机消费者的需求。对2018年11月手机销售额排行榜前50名手机信息进行采集，利用SPSS，对所选取的数据进行了一系列分析，分析消费者手机消费偏好，为用户更新、解决手机生产厂商更新换代提供高性能特性信息。