简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。
简介:摘要:发射机字面意思就是发射的机器,至于他发射的是什么,一般是为电磁波。发射机(a transmitter circuit)主要任务是完成有用的低频信号对高频载波的调制,将其变为在某一中心频率上具有一定带宽、适合通过天线发射的电磁波。广泛应用于电视,广播,雷达等各种民用、军用设备。主要可分为调频发射机,调幅发射机,光发射机等多种类型。
简介:摘 要:为能通过红外夜视场来提高彩色液晶显示屏(LCD)上的彩色显示的效果,采用红外LED灯作为三色RGB LED显示屏的主背光,并可在各种不同类型的光源组合中选择配置亮度不同颜色的LED。7英寸(1英寸等于2.54厘米)根据背景光亮度高和色彩均匀性好的特点,以背光为Lambert光源,计算选择LED的类型,确定LED的数量和配置,合理选择光学薄膜,设计背光模块的结构。信息不仅可以在显示屏(LCD)上查看,还可以在夜视仪上查看。TracePro软件的仿真分析表明,只要强光与夜视兼容,所设计的背光模块就可以满足LCD显示屏可见光特性的两个要求。
简介:【摘要】:近年来,伴随着高新技术的不断发展,LED成为了全球最受关注的新一代光源,主要是因为其具备低热量、长寿命和无红外与紫外污染等优点,并且还有21世纪最具有发展前景的绿色环保光源。但是,我国在这方面的研究起步时间比较晚,导致在新兴Mini市场上的工艺不够成熟,价格较高,为此需要研发一种Mini产品来迎合市场的需求。为此,本文从动态调光Mini多分区背光器件及模组制造技术具备的竞争优势,指出其总体设计方案,并且分析其能够带来的效益,以求为相关的研究奠定坚实的基础。
简介:摘要:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管)是由一组主要由半导体元器件BJT(双极型三极管)和半导体三极管单元MOS(绝缘栅型场效应管)单元共同作用,组成的一类新型的复合半导体全控型电压补偿驱动式的小功率半导体器件。大功率直流驱动式高性能IGBT电力逆变器系统是把能源逆变流场处理的技术及其应用基础与多种现代数字能源直流自动传输及其控制技术有效集成结合的又一种高性能核心器件,在中国高铁、智能电网、汽车新能源装备设计研制应用等国内外各相关领域内其应用前景价值也极高广。本文介绍了大功率 IGBT 器件在动车组牵引传动变流器上的应用。
简介:摘要:为发挥石墨结构件更高的应用价值,针对LED光电器件中石墨结构件的应用展开研究,通过石墨构件的制备与转移、建立石墨烯与LED光电器件接触隧道、LED光电器件水平式与垂直式衔接,完成本次研究。通过实例应用的方式,证明在LED光电器件当中应用石墨结构能够提高器件响应度,起到促进器件应用性能提升的作用。
简介:摘要:量子点是近年来发展较快的纳米荧光材料,特别是在医疗卫生、离子检测、催化反应等领域受到了研究人员的重点关注。因具有发射波长跨度大、峰型窄、粒子的粒径均匀、斯托克斯位移大和紫外吸收光谱宽等优点,在发光领域占据重要地位。半导体白光 LED 作为 21 世纪的新型照明器件,具有节能、寿命长、体积小、色彩丰富、绿色环保等显著优势,可以广泛应用于显示、普通照明等领域。 LED 照明技术的开发及推广,具有重要的经济效益。目前,在 LED 芯片上涂覆荧光粉的白光器件已得到广泛应用,微米级的荧光粉存在较大的荧光损失,且吸收光谱范围较窄,对 LED 芯片要求较高,配成的白光存在色温偏冷,显色指数较低等问题。而纳米级的半导体量子点则可以克服以 上缺点,相应的研究已经取得了很大进展。