简介：通过双模板方法合成了一种管壁具有球形介孔的单手螺旋二氧化硅纳米管．其中，手性两亲性小分子的自组装体控制纳米管的形貌，三嵌段共聚物F127控制管壁中介孔结构和孔径．并借助透射电子显微镜、扫描电子显微镜、多通道物理吸附与孔径分布仪和X-射线多晶衍射分析方法对样品进行了表征．结果表明，此材料的比表面积高达799m^2／g，孔径大约是5．7nm．

简介：目前分光计的调节方法仅实现望远镜、平行光管的轴线垂直中心转轴,却无法确定与中心转轴相交。在本文中,我们首次给出了一种调节望远镜、平行光管的轴线垂直且相交于中心转轴的方法。

简介：受激布里渊散射（SBS）相位共轭镜可以矫正激光波前畸变、改善激光光束质量，带有SBS相位共轭镜的双程主振荡一功率放大激光系统（MOPA）是在不牺牲激光光束质量的前提下提升激光输出功率的有效手段之一。相对于使用气体、液体作为SBS介质的相位共轭镜，固体相位共轭镜由于其无毒无害无需高压以及稳定、便捷、可靠等优点，

简介：针对甲酸乙酯(H(CO)OCH2CH3)与羟基自由基(OH)的反应动力学展开了理论与实验研究.在理论方面,首先通过量化计算得到了在M06-2x/ma-TZVP水平下准确的反应势能面,随后利用多结构-扭转(multi-stucturetorsionMS-T)方法对转动非谐效应进行了研究,获得了非谐校正系数,最后基于传统过渡态理论并考虑Eckart隧穿效应获得了200~2000K温度范围的反应速率常数.在实验方面,开展了激波管实验来测定H(CO)OCH2CH3与OH的反应速率常数,基于激光吸收光谱技术探测OH自由基306.7nm的吸收线,并对反射激波后高温反应过程的OH浓度变化进行测量,从而获得了900~1321K温度范围的反应速率常数,并论证了理论计算结果的合理性与准确性.

简介：采用激光二极管双侧泵浦横向流连续液体系统，具有很明显的优点：泵浦源与介质吸收谱的耦合效率高、激光介质的循环流动可以避免热量累积、液体介质不会像晶体一样存在热致双折射和断裂特性等。首先建立激光振荡的物理模型，分析系统参数对激光输出功率的影响；模拟系统的转换效率与参数之间的关系，检验该系统输出高功率的可能性。

简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：利用卟啉（Heroin）具有模拟酶的功能，与多壁碳纳米管（MWCNTs）构建了一种新型的过氧化氢（H2O2）生物传感器。首先，利用Hemin与MWCNTs之间的π-π键作用，在超声分散下制备Hemin／MwcNTs纳米复合物；采用滴涂技术并在nafion的作用下将其固载在电极表面，制得该H2O2生物传感器（nafion／Hemin／MWCNTs／GCE）。采用紫外-可见分光光度法（uV—Vis）对合成的纳米复合物进行了分析；采用扫描电镜（SEM）对电极的表面形貌进行了表征；采用循环伏安法和计时电流法考察了该修饰电极的电化学行为；并对传感器的行为进行了详细的研究。在最优条件下，此修饰电极对H2O2具有明显的催化作用，电流与H。0：的浓度在6．0×10-7-1．8×10-3mol／L范围内呈现良好的线性关系，检出限达2．0×10-7mol／L。此传感器制作简单，具有较高的灵敏度和良好的稳定性及重现性。

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.