简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
简介：
简介：《国家中长期教育改革和发展规划纲要（2010-2020年）》指出，“要以学生为主体，以教师为主导，充分发挥学生的主动性，把促进学生健康成长作为学校一切工作的出发点和落脚点．关心每个学生，促进每个学生主动地、生动活泼地发展，尊重教育规律和学生身心发展规律，为每个学生提供适合的教育．”《义务教育课程标准》也提出类似的要求——要培养学生的创新精神和实践能力．在初中物理教学中有很多的问题教师可以放开手脚，
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
关于光的波粒二象性的“统一”问题——兼与周佩瑶、吴亚非先生商榷
中国科协名誉主席 中国物理学会名誉理事长周培源教授为本刊题词
以问题为中心引领教学以思维为核心促进发展——以液体压强习题教学为例
