简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：Theinfluenceofp-typeGaN(pGaN)thicknessonthelightoutputpower(LOP)andinternalquantumefficiency(IQE)oflightemittingdiode(LED)wasstudiedbyexperimentsandsimulations.TheLOPofGaN-basedLEDincreasesasthethicknessofpGaNlayerdecreasesfrom300nmto100nm,andthendecreasesasthethicknessdecreasesto50nm.TheLOPofLEDwith100-nm-thickpGaNincreasesby30.9%comparedwiththatoftheconventionalLEDwith300-nm-thickpGaN.ThevariationtrendofIQEissimilartothatofLOPasthedecreaseofGaNthickness.ThesimulationresultsdemonstratethatthehigherlightefficiencyofLEDwith100-nm-thickpGaNisascribedtotheimprovementsofthecarrierconcentrationsandrecombinationrates.

简介：Poly4-vinylphenol(P4VP)/multi-wallcarbonnanotubes(MWNTs)multi-layersensitivefilmsweredepositedoninterdigitatedelectrodesbyairbrushtechnologytodetecttoluenevaporatroomtemperature.Thesurfaceandsectionmorphologiesofthemulti-layerfilmswereobservedbyascanningelectronmicroscope(SEM).Itisfoundthattheresistanceofthesensorincreaseswhenitisexposedtotoluenevaporandtheresponsehasagoodlinearitywiththeconcentrationoftoluene.TheresultsshowthattheP4VP/MWNTsthree-layerfilmsensorshavebettersensingpropertiescomparedwiththetwo-layerfilmsensors.Therelatedsensingmechanismisstudiedindetail.

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：随着电子制造技术的不断发展，电子元器件的体积正变得越来越小，同时在整个供应链中有效管理并保护湿敏器件，对于电子制造商来说也正变得越来越重要。而管理和保护湿敏器件的目的就是为了避免从表面贴装的起始阶段就使用受到潮湿损坏的器件。

简介：针对法布里—珀罗干涉型压力传感器进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法.

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：