简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：本文主要介绍了水基清洗技术在彩管成型荫罩黑化前清洗中的应用.介绍了水基清洗技术的清洗原理、工艺特点,以及对水基清洗剂的一般要求及实际使用中的注意事项.

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要／关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素，寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验，最终确定了可以稳定通过MSL1的方案，其主要做法是：在粘片后采用分段烘烤，在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

简介：Anultra-highspeed1:2demultiplexerforopticalfibercommunicationsystemsisdesignedutilizingtheIHP0.25μmSiGeBiCMOStechnology.Thelatchofthedemultiplexercorecircuitisresearched.Basedonthecurrentmeasurementcondition,ahigh-gainandwide-bandwidthclockbufferisdesignedtodrivelargeload.Transmissionlinetheoryforultra-highspeedcircuitsisusedtodesignmatchingnetworktosolvethematchingproblemamongtheinput,outputandinternalsignals.Thetransientanalysisshowsthatthisdemultiplexercandemultiplexone100Gb/sinputintotwo50Gb/soutputs.Thechipareaofitis0.7mm×0.47mm,theinputandoutputdataarebothat400mVP-PPCMLstandardvoltagelevel,andthepowerconsumptionoftheICis900mWatthepowersupplyof-4V.

简介：<正>IMSResearch预计2011年LED封装市场增长1%,照明营收增长29%经过2010年60%的高速增长,IMSResearch认为2011年的GaNLED市场趋于平缓,仅增长1%至87亿美金。主要原因有:·占据60%GaNLED营收的背光市场增长比预期缓慢。IMSResearch预

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路，采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题，并且可以利用齐纳管来稳定输出电压.Spice仿真结果显示，五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单，与标准CMOS工艺兼容，具有较高的应用价值和经济价值，

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：

简介：按照ODS特别工作组拟定的工作目标，采用HEP-2和HT-1与原使用的CFC-113对真空开关管常用的7种零件和部件进行清洗对比试验。检测分析结果表明，HEP-2清洗效果优于CFC-113和HT-1。采用HEP-2清洗的波纹管(真空开关管的结构件)进行了耐腐蚀性和机械寿命试验，其结果与CFC-113无明显差异。采用HEP-2清洗的真空开关管零、部件进行了整管试验，其参数合格并按规定通过了型式试验。各项试验表明，HEP-2基本上可以作为目前CFC-113的主要替代品。

简介：摘要：中国的跨国公司在当前经济全球化趋势下的角色越来越重要，已经成为了推动全球经济一体化的核心力量。而人民币汇率波动是我国跨国公司在其跨地区生产经营活动中所面临的最频繁也是最直接的风险，因此汇率风险的防范一直是跨国公司在其国际化运营中风险管理的一个重要方面。本文主要阐述跨国公司汇率风险管理现状，指出我国跨国企业在该方面存在的不足，并对我国企业汇率风险的规避提供一些建议，从长期和短期两方面分别阐述相关对策。

简介：1-7月份百强企业运行良好。尽管7月份是大多数电子产品的销售淡季,但各企业努力克服市场淡季和“非典”的滞后影响对生产经营带来的困难,积极开拓市场,调整产品结构,大部分企业基本消除了“非典”造成的不良影响,保持了生产经营的稳步发展,经济规模实现了较快增长,经济效益也明显提高。

简介：精力层次，波浪功能和秒顺序非线性的危险性被基于寓言、非寓言的乐队使用一个不对称的模型在GaAs/Al0.2Ga0.8As/Al0.5Ga0.5As不对称的量井(AQW)计算。当在更宽的井在狭窄的量井并且在更高的躺subband边分析现象时，non-parabolicity的影响不能被忽视。在两倍回声(医生)下面调节的数字结果表演，secondorder差别频率产生(DFG)和光校正(或)分别地，在AQW的产生危险性到达2.5019m/V和13.208m/V它比体积GaAs的那些大得多。而且，我们计算AQW的吸收系数并且发现二泵波长对应于最大的吸收，因此适当的泵横梁必须被选择产生兆兆赫(THz)由DFG的放射。

简介：<正>日前,德州仪器(TI)宣布推出一款SimpleLinkSub-1GHzCC1200收发器,进一步壮大其高性能RF产品线阵营。该CC1200具有业界领先的覆盖范围与共存性,以及高达1Mbps的数据速率,专门针对高级电表基础设施(AMI)及家域网(HAN)的1GHz以下无线连接而开发,可充分满足智能电网、家庭楼宇自动化以及告警与安全系统应用需求。CC1200支持嗅探模式与快速建立时间,可通过低功耗工作提供长达数年的电池使用寿命。CC1200是一款高度灵活的RF解决方案,支持原有1GHz以下系统、所有具有硬件数据包处理与硬件AES安全支持的IEEE802.15.4gFSK模式,以及所有无线M-Bus(wM-Bus)模式。

简介：AninitialstructuredesignofMMI1×8opticalpowersplittersisreported.ThewaveguidematerialisSi-basedSiO2Ge-dopedanddepositedbyPECVDmethod.Embeddedstripstructureisimpliedinthesectiondesign.ByusingBPM-CAD,afavorableresultisobtainedthatthisdevicehasasounduniformityandfairlylowloss.Meanwhile,simulationsofdesignswithcertainchangedparametersisalsoimplementedforabetterdesignconfiguration.

简介：2005年3月8日,赛迪顾问公司公布了<2004年中国政府网站绩效评估报告>.其中,对76个部委网站、31个省级政府网站、333个地级政府网站以及414个抽样县级政府网站的绩效做了排名.

简介：美国东部时间10月26日(北京时间10月27日)消息，三星电子正在缩小与摩托罗拉的差距，来自StrategyAnalytics的数据显示，在截至今年9月30日的季度里，三星在全球手机市场上的份额为13．54％，摩托罗拉为13．9％，而一年前三星的份额为9．7％，摩托罗拉为14％。