简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：偏振模色散（PMD）已经成为高速光纤通信系统发展的严重障碍。我们将粒子群优化（ParticleSwarmOptimization—PSO）算法作为偏振模色散自适应补偿中的反馈控制算法，对光链路中的PMD信号进行收索跟踪，并控制偏振控制器（PolarizationController—PC），成功的实现了对二阶PMD的自适应补偿。实验结果表明，粒子群优化算法能够避免陷入局部极值而快速的搜索全局最佳值，同时它还具有很强的抗链路噪声的能力，补偿效果良好。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的

简介：基于Lee-Low-Pines（LLP）的幺正变换，本文采用Pekar变分法得到的基态能量和波函数及其在电场的二维量子点中强耦合极化子的第一激发态，从而构建一个双极化子的量子比特。数值结果表明时间的振荡周期T0对量子比特的减小两电子概率密度随电场强度和介质的介电常数比η；在量子比特的两电子的概率密度q呈现周期性的振荡随时间t；出现的电子在量子点中心的概率较大，而出现了由量子点中心要小得多。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。

简介：

简介：　　摘 要：采编工作是图书馆文献资源建设与发展的核心内容和基础性工作，为适应新形势下图书馆文献资源建设的发展趋势，采编工作需要创新。需要针对当前采编工作中存在的问题，采取加强采编人员自身假设，通过采编外包解决工作量激增问题，保证藏书质量，建立资源整合机构等，对策，更好地适应采编工作的发展趋势。

简介：<正>市面上能买到的LED灯,虽然耗电量仅为白炽灯的6%,使用寿命长达5万小时以上,但动辄数十倍的售价,使LED灯无法走入百姓家。南京理工大学近日传出消息,该校取得新型二维半导体研究进展,有望制造出新型材料,大大降低LED灯生产成本,该研究成果已经在线发表在化学与材料等学科顶尖期刊

简介：<正>继"汉芯一号"在去年上半年问世后,我国具有完全自主知识产权的"汉芯二号"和"汉芯三号"日前在沪宣布诞生。据悉,"汉芯二号"和"汉芯三号"都是高端的芯片,其中"汉芯二号"是我国首颗以IP专利授权的方式进入国际市场的"中国芯",国外公司在其产品中每嵌入一片"汉芯二号",

简介：按照英国移动数据协会(MobileDataAssociation，简称MDA)公布的最新数据，英国移动电话用户在二月份共发送了22亿条文本短信。

简介：把你的业务稳定地移向利润池的深处——

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，推出37颗用于汽车的新款高压晶闸管和二极管。这些VishaySemiconductors公司的器件通过AEC—Q101认证，重复性电压从600V到1600V，电流范围宽，有3种封装可供选择。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：提出了一种利用计算机产生和再现具有缺陷结构和复式结构的二维光子晶体的菲涅尔全息图的数字方法。采用博奇编码方法，应用C语言和Matlab语言的混合编程下实现全息图的制作，并直接应用数字滤波技术消除了虚象和零级象，模拟再现出实象。