简介：采用机械合金化—低温表面氧化—高温内氧化—还原处理制备MgO弥散强化铁粉后再经放电等离子（SPS）烧结制备MgO弥散强化铁基材料,并通过SEM和EDS对材料的组织和断口进行分析。结果表明：添加MgO能够细化晶粒,并均匀地分布于基体中,MgO颗粒尺寸200nm~1μm。添加MgO强化后,材料的拉伸断口由粗大的韧窝变成细小的等轴韧窝;MgO弥散强化铁基材料烧结体的室温力学性能得到有效提高,Fe＋1.0%MgO的抗拉强度为342.6MPa,屈服强度为276.3MPa,硬度为61HRB,相对于纯铁分别提高了20.5%、54.2%和84.8%。

简介：运用MATLAB图像处理，采用Lacey指数算法及综合分析方法作为混合评价指标，对回转滚筒内3组元颗粒混合机理及混合质量进行分析，结果表明：3组元颗粒混合过程中扩散混合在对流混合、对流与剪切混合共同作用、剪切混合3个阶段均起重要作用；大颗粒分布成花瓣形，花瓣形态及数量与填充率、倾角及转速均有关系；颗粒混合质量随各影响因素变化呈现出规律性变化，且与颗粒混合度所呈现的规律相异；该实验最佳工况为16.7%填充率、无倾角、3.4r/min。

简介：利用分离式Hopkinson压杆（splithopkinsonpressurebar，简称SHPB）技术对T6时效态2195铝锂合金帽型试样进行动态加载获得绝热剪切带（adiabaticshearband，ASB），利用透射电镜（TEM）和光学显微镜（OM）观察动态加载前后剪切带的微观结构特征，利用电子背散射衍射（EBSD）分析合金在100~400℃温度下退火后绝热剪切带微观结构的变化，研究剪切带内纳米结构的热稳定性。结果表明：在动态加载过程中，帽型试样的剪切区域形成绝热剪切带，剪切带内的晶粒为50~100nm左右的纳米等轴晶，在绝热剪切形变过程中析出相已完全溶解于基体中，纳米晶内部和晶界不存在析出相。在不同温度下退火时，剪切带内的晶粒随温度升高而长大，100~200℃温度下退火后晶粒未发生显著长大，在300℃退火后晶粒急剧长大到0.22μm，400℃退火后晶粒尺寸为1.77μm；在300℃左右温度下剪切带的硬度显著下降，此温度正是剪切带内纳米晶粒急剧长大的临界温度。

简介：以三氯甲基硅烷（CH3SiCl3）为前驱体,采用化学气相沉积法（Chemicalvapordeposition,CVD）,在原位生长有碳纳米管（Carbonnanotubes,CNTs）的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜（SEM）和X射线能谱仪（EDS）观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度（1000~1150℃）对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明：在1000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。

简介：采用片状粉末冶金技术制备碳纳米管/铝(CNT/Al)复合材料,并研究其力学性能。首先,通过聚合物热解化学气相沉积法(PP-CVD)在微纳铝片表面原位生长碳纳米管制备CNT/Al片状复合粉末,随后对该片状复合粉末进行冷压成形、烧结致密化和挤压变形加工等,制备致密的CNT/Al复合材料块体。实验结果表明,相比铝基体,所制备的1.5%CNT/Al复合材料抗拉强度和模量分别提高了18.5%和23.7%,3.0%CNT/Al复合材料抗拉强度和模量分别提高了31.4%和74.1%,但由于铝基体的细晶强化和位错强化作用,使其塑性分别下降至4.96%和1.5%。

简介：采用杂凝聚的方式制备CNTs（CNTs为碳纳米管Carbonnanotubes）分散均匀的3Y-ZrO2/CNTs混合粉体，热压后得到3Y-ZrO2/CNTs复合陶瓷块体材料。与普通球磨混料法制备的陶瓷样品进行对比，研究CNTs含量以及CNTs的分散性对3Y-ZrO2/CNTs复合陶瓷的组织、密度、断裂韧性以及电学性能的影响，并分析CNTs对陶瓷的增韧机理。结果表明，采用杂凝聚处理有助于CNTs在3Y-ZrO2/CNTs复合陶瓷中的均匀分散，CNTs含量（质量分数，下同）为1.00%的3Y-ZrO2/CNTs复合陶瓷的断裂韧性达到（18.13±0.50）MPa·m1/2，较球磨混料法制备的样品提高35.10%。陶瓷基体中均匀分散的CNTs不仅通过促进马氏体相变起到增韧作用，而且CNTs的桥联和拔出机制也直接起到增韧的作用。CNTs在陶瓷基体中均匀分散能大幅降低复合陶瓷的导通阈值。经杂凝聚预处理的CNTs含量为4.00%时，3Y-ZrO2/CNTs复合陶瓷的电导率达到4.467S/m，比不含CNTs的3Y-ZrO2陶瓷高13个数量级；当CNTs含量为1.00%时，复合材料的相对介电常数达到6340，比未经杂凝处理的样品高2个数量级。