简介：摘要本文首先介绍了供应商黑名单管控的背景及意义，说明了涉及的关键技术，重点分析了业务场景及系统的交互数据，建立数据模型。最后，对基于ERP业务数据的供应商黑名单管控页面进行展示。

简介：产品简介：二极管显示器背光源是均匀显示绿色、红色黄色蓝色白色的发光界面。由高效的超亮重组在特殊光导下形成的均匀显示。光区是长方形的，二极管安在一个或两个对立面。

简介：<正>一、概况为配合中国绿色照明工程的实施,根据国家技术监督局(1998)技监监计统函字第002号文件安排,国家电光源质量监督检验中心(北京)、国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家日用电器质量监督检验中心在

简介：薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-SiMOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（LiquidCrystalonSilcon）技术。

简介：手机中的接收、发射和控制电路等，均离不开三极管。如放大电路、开关电路、振荡电路和控制电路中的三极管，它们损坏将造成手机不能正常使用。了解和掌握三极管的结构、工作原理和检修方法，对于检修手机电路中因三极管不正常引起的故障，效果事半功倍。

简介：为贯彻落实管局年初确定的重点工作目标，推动全行业进一步树立“服务社会民生”理念，以持续提升电信服务质量为切入点，以“强手段，重落实，讲效率，抓质量”为保障手段，不断提升电信服务水平，树立行业良好形象，近日，重庆市通信管理局召开了2012年通信服务工作会。

简介：利用边界元法编制了计算磁控注入枪的程序，并使用该程序设计和模拟一个工作在35GHz，70kV，10A基波回旋放大器的单阳极磁控注入枪，得到较好的计算结果。并给出了工作电压、磁场分布对电子束性能的影响。结果表明，边界元法在分析磁控注入枪系统和回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：摘要现阶段的电力工程建设，正不断的拓展规模和类型，在数量的增长上也是非常明显的。我国虽然是一个发展中国家，可是对于电力工程的重视程度较高，这对于居民的生产、生活而言，都会产生巨大的影响力。电缆排管施工技术的应用，能够对电力工程的安全性、稳定性做出大幅度的提升，很多工作的安排，都可以按照全新的理念、标准来完成，整体上未造成严重的缺失和疏漏现象。文章针对电缆排管施工技术在电力工程中的应用展开讨论，并提出合理化建议。

简介：新年伊始，重庆市通信管理局组织召开了各电信企业相关负责人、电信网间互联争议专家组成员参加的互联互通工作总结会。会议认真总结了2003年重庆市互联互通工作得失，确定了2004年互联互通工作的思路，与会人员共同探讨了通过规范互联互通秩序以促进行业健康发展的重要意义和有效措施。

简介：Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格，且有六种颜色（超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色）供设计者选择。

简介：

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：<正>杰尔系统(AgereSystems)近日宣布:推出五款高性能的射频超模压塑封装晶体管,将使封装成本下降高达25%。杰尔的解决方案不仅能够降低基站的整体成本,而且还可加快无线基站放大器设备的大规模部署。这些塑料封装的晶体管将用于无线基站放大器-无线基站中最昂贵的组件之一。

简介：在瞬息万娈的电讯市场上，香港电讯管理局扮演著电讯警察的角色，在频率规划及管理方面，便有不少可资惜鉴的地方，以下将逐一分绍电管局在这方面的工作。

简介：简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。

简介：重点介绍了一种直线加速器系统注入能量的高功率微波源四极管发射机。从加速器注入功率要求入手，介绍四极管发射机研制方法。主要内容包括发射机系统构成，指标计算、分配以及具体实现。重点阐述了发射机的固态放大器设计、阳极电源设计、控栅和帘栅电源设计。并对发射机的馈线设计和热设计提出了工程解决方案。针对四极管发射机特点作出了细致分析。项目完成后，经过测试、联调，各项指标满足设计要求，为以后四极管高功率微波源的研制与开发提供了很好的设计参考。

简介：NewSensor集团有三款现代版本的同型号管：Sovtek5881／6L6WGC、Sovtek5881WXT和Tungsol5881。5881／6L6WGC与前苏联的6П3C-E（即6P3P的5000小时长寿命管）是完全一样的管，为“铜钱”管基结构。笔者对此管有点纳闷：6П3C-E是否可等同于5881？5881是否就是6L6WGC？似乎从没听过美国有6L6WGC这只管。

简介：此基站采用模块和骨架式钢筋混凝土结构，所有设备全内置，安全性较高；基站设备安装在天线顶部，缩短了馈线长度，降低了馈线损耗；塔架具备烟囱效应，无需主动式制冷，节约空调电费；较传统基站占地面积小。此外，由于外型美观，能更好的融进当地环境，减少建站阻力。