简介:XOs不采取任何温度补偿或恒温措施,各项技术指标中等水平,主要有输出形式、频率、稳定度三个技术参数。
简介:
简介:高频通讯加大了谐振器的设计和制造难度。文中总结了高频155.52MHz石英晶体谐振器的设计和试制过程,对其关键技术问题进行了分析和试验,同时给出了部分试验数据。
简介:普通晶体振荡器温度稳定特性曲线如同1所示(图中实线),如果在电路中增加一些器件,使它影响频率随温度的变化与原曲线大小相等、方向相反(图中虚线),这样就改善了振荡器的温度稳定度。
简介:VCXOs在振荡电路中加一个变容二极管,通过改变变容二极管两端的电压来改变输出频率。可以在TCXO或OCXO基础上改进电压控制,则可称为TC/VCXO或OC/VCXO。
简介:文中利用FDTD方法模拟了光波在双芯光子晶体光纤中的色散特性。给出了FDTD方法的理论基础和仿真结果,同时分析了色散特性与占空比的关系,在相同的空气孔间距条件下,占空比越大,反常色散峰值越大,峰值色散点往短波区域移动。
简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:本书全面汇编了国内外电子元器件产品所使用的晶体三极管及其模块的实用关键参数和代换型号,内容涉及到2006年以前国内外三极管生产厂家的大部分最新三极管(包括三极管模块)的型号。全书共分三部分,第一部分介绍该手册的查询方法,第二部分介绍三极管的型号命名、使用和检测方法等基础知识,
简介:薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是液晶显示器中最重要的一种,其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位,可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同,又分为非晶硅TFF(a-SiTFT)、多晶硅(p-SiTFT)和单晶硅MOSFET(c-SiMOSFET),后者形成的LCD被用于LCOS(LiquidCrystalonSilcon)技术。
简介:电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座.以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。
简介:日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件,开发出驱动性能更高的芯片,并在3月22日~26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。
简介:评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。
如何选择晶体振荡器及各项指标——普通晶体振荡器(XOs)
温度补偿晶体振荡器
高频石英晶体谐振器的研制
压控晶体振荡器
如何选择晶体振荡器及各项指标——温补晶体振荡器(TCXOs)
如何选择晶体振荡器及各项指标——压控晶体振荡器(VCXOs)
双芯光子晶体光纤的色散特性研究
基于SiGe异质结的双极型晶体管设计
《最新通用晶体三极管置换手册》
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)
电力电子器件知识讲座(八)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(二)
日本开发出集成约2800万个有机晶体管的驱动性能更强的芯片
中子嬗变掺杂硅(NTD—Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一