简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试／打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构，以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题；同时，在生产流程中引入外观检验工位，对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验，很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明，该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点，客户使用后反映良好。

简介：在光纤通信系统中，超短光脉冲的检测一直是一个重要的问题。二次谐波强度自相关法是被广泛使用的超短光脉冲波形测量的方法。由于光纤通信系统中光功率很低，使得满足晶体的相位匹配变得更加重要。KN作为双轴晶体相位匹配问题比较复杂，本文从双轴晶体主平面上的相位匹配出发，讨论KN的相位匹配问题，得到其在光纤通信波段1．55um处的最佳相位匹配参量。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：研究了含有缺陷的类似于谐振腔结构的光子晶体滤波特性,由于这种复周期结构的可调参数多,人们很容易得到在红外波段1550nm3dB附近窄带滤波窗口,透过率可达到近93%,而窗口以外的透过率在0.02%以下,当改变中间夹层厚度时,窄带滤波窗口的通道数和带宽发生改变.因此,它在CWDM中将得到很好的应用.

简介：一种新型微型法布里佩罗特干涉仪（FPI）提出并实验验证了温度传感器。模态干涉仪是由剪接一段制作光子晶体光纤（PCF）与单模光纤（SMF）。PCF的空气孔完全被放电电弧的剪接过程中加强对剪接点的反射系数。测量了不同温度下的透射光谱，实验结果表明，在30°C范围内，得到了80点/°的线性响应。该传感器在温度测量领域具有潜在的应用前景。

简介：Diodes公司推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电（PoE）应用，可以有效地为48V直流一直流电源的变压器初级端控制器调节电压。

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：产品简介：基于热电流体晶体结构变像管不需要使用电子扫描和冷却系统就能提供并行数据处理和转换。这些装置可以应用于长波长光谱（λ-300-400μm）的图像处理。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

简介：日本千叶大学工程系中村雅一副教授和工藤一浩教授与日本化学技术战略推进机构共同组成的联合研究小组日前在2mm×2mm的区域中集成约2800万个有机晶体管元件，开发出驱动性能更高的芯片，并在3月22日～26日于东京武藏工业大学举办的日本“第53届应用物理学相关联合演讲会”上进行了发表。

简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：提出了一种利用计算机产生和再现具有缺陷结构和复式结构的二维光子晶体的菲涅尔全息图的数字方法。采用博奇编码方法，应用C语言和Matlab语言的混合编程下实现全息图的制作，并直接应用数字滤波技术消除了虚象和零级象，模拟再现出实象。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.