简介：4月10日，第一届中国电子信息博览会（ChinaInformationTechnologyExpo，简称CITE）在深圳会展中心隆重开幕。工业和信息化部副部长杨学山、深圳市市长许勤、中国电子信息产业集团董事长芮晓武等出席了开幕式。

简介：三星电子日前宣布，已经成功实现了20nm工艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业内最先进的半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国加州电子设计自动化企业CadenceDesignSystems提供的一体化数字流程RTL—to—GDSII。

简介：和舰科技（苏州）有限公司与全球领先的非挥发性记忆体设计公司常忆科技近日共同宣布，已成功开发拥有更高的耐久力和更小的记忆体面积等优点的0．18μm浮动闸嵌入式闪存记忆体技术。通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。

简介：由中国半导体行业协会IC设计分会主办的“第二届松山湖IC创新高峰论坛”于6月29日在东莞松山湖成功召开。东莞市常务副市长梁国英、中国半导体行业协会IC设计分会理事长／清华大学微电子学研究所所长魏少军教授、东莞市人民政府顾问宋涛到会致开幕辞，并分别对东莞市产业转型趋势、国内IC设计产业发展现状、松山湖IC产业布局做了详细报告。来自中国IC设计产业的专家，国内领先IC企业的精英及相关媒体共一百余人共聚一堂，共同商讨国产消费电子创新IC的未来发展。

简介：1月7日下午，深圳市计算机行业协会在研祥科技大厦举办了2015年年会暨优秀企业－深圳好产品表彰大会。会上，深圳市计算机行业协会会长杜和平向大家汇报了全年工作、财务收支等情况，同时部署了2016年的工作计划。此外，大会还表彰了深圳市计算机行业优秀企业和好产品企业。

简介：CPCA科学技术委员会第四次工作会议日前在昆明召开。出席本次会议的有CPCA科技委会长黄志东，副会长曾红、唐艳玲、王成勇、苏晓声、曾曙、徐地华、潘海、袁中圣；CPCA科技委顾问姚守仁、林金堵、梁志立、龚永林、王恒义和科技委委员共计39名代表也出席了会议。

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（华润上华）近日宣布其第三代超高压700VBCD系列工艺开放代工平台开发成功。该工艺平台自华润上华第二代硅基700VBCD工艺基础上自主开发而来。通过工艺技术的持续改进，该工艺不仅控制电路部分的设计规则比第二代硅基700VBCD工艺缩小15％，

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：联华电子与数字电视解调器芯片设计公司高拓讯达（AltoBeam）近El共同宣布，高拓讯达推出了DVB—T2／T／C／S2／S解调器，以适应采用这些标准的数字电视市场需求。ATBM7812采用联华电子12寸URAM嵌入式内存技术专利，具备了更高的效能与更小的芯片尺寸。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：华虹半导体与上海晟矽微电子股份有限公司（晟矽微电）近日联合宣布，基于95nm单绝缘栅一次性编程MCU（95nmCE5VOTPMCU）工艺平台开发的首颗微控制器（MicroControllerUnit，MCU）（产品型号MC30P6230）已成功验证，即将导入量产。

简介：由中国半导体行业协会、湖南省经济和信息化委员会和“核高基”国家科技重大专项总体专家组共同主办，长沙经济技术开发区管委会和湖南省集成电路产业联盟共同支持。