简介：石墨烯是一种新型单层碳原子材料，文中介绍了这种材料的特性，探讨了在电子领域中以其作为制造新型晶体管材料来替代CMOS的可行性，给出了制作石墨烯晶体管的方案并进行了仿真。理论上讲，以石墨烯作为材料制造的晶体管具有远超现今最先进CMOS的特性，但是在由于其特殊的能带结构，能否制造出石墨烯晶体管仍有待研究。

简介：摘要现代电子产品不断向走线微型化、元件小型化、集成高度化方向发展，为了适应电子产品的发展，对生产者来说不但要有过硬的焊接基本功而且还应有娴熟的仪器使用能力，作为未来生产者的培养基地——职教学校，就应该主动调整自己的教学内容，但很多学校还在沿用一把电烙铁、一块万用表的实训方式。本文就经常采用的一个实训项目——组装、调试收音机，谈谈如何用现代手段调试出一台合格的产品。

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：利用晶体管直流增益随中子辐照注量的变化关系,建立了基于电压补偿的晶体管直流增益在线测试系统,以模块化软件架构设计方法及电压回读技术,实现了不同辐照功率下晶体管直流增益的实时监测,获得了辐照期间晶体管器件敏感参数的变化规律。结果表明,在不同中子注量辐照下,研制的直流增益在线测试系统可满足晶体管损伤效应的实时测量要求,系统的测试精度达0.2%。

简介：薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-SiMOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（LiquidCrystalonSilcon）技术。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：本文讨论了多级晶体管放大器引入负反馈后,利用微变等效电路分析法对负反馈放大器的电压增益进行分析,以引入电压串联负反馈为例展开,并就分析值与仿真结果进行了对比.

简介：图（1）是具有比较放大器的串联型晶体管稳压电路,很多电子专业书刊上都这样定性分析其工作原理:假设负载电流I0减小或输入电压Ui增大,都要引起输出电压U0增大,则R2两端取样电压也增大,即T2管基极电位UB2增高,由于T2的发射极接有基准电压U2,使UE2基本不变,

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：采用脉冲激光沉积法，以元素比例为In：Ga：Zn=1：1：1的InGaZnO靶材作为实验靶材，在1000℃烧结后P型硅上成功制备了非晶InGaZnO薄膜。并用真空蒸镀的方法蒸镀100nm，宽长比为5：1的Ni电极作为源漏电极。通过对比退火前及300℃退火30min后TFT的电学性质可以看出，经过退火处理后，器件的各种参数均得到了提高：阈值电压为5．88V，开关比提高到10^5，且关态电流为pA量级，S仅为1．1V／decade，且器件的场效应迁移率变为原来的60倍。因此退火处理可以明显的提高InGaZnO—TFT器件的性能。

简介：摘要：PNP低频大功率晶体管的漏电流影响产品的可靠性和稳定性，因此，减小漏电流是研制PNP低频大功率晶体管的关键技术之一。PNP低频大功率晶体管采用的是外延平面工艺，生产过程中的沾污严重影响产品的可靠性，因此，减小产品的漏电流，就要从生产过程的严格控制做起。

简介：<正>杰尔系统(AgereSystems)近日宣布:推出五款高性能的射频超模压塑封装晶体管,将使封装成本下降高达25%。杰尔的解决方案不仅能够降低基站的整体成本,而且还可加快无线基站放大器设备的大规模部署。这些塑料封装的晶体管将用于无线基站放大器-无线基站中最昂贵的组件之一。

简介：本文从分析晶体管的热过程入手,得出了晶体管的热阻Rt与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式.再通过对晶体管散热途径的分析及前面所得的关系式,得出了大功率晶体管及集成电路为什么要安装散热器.这种分析方法逻辑合理,过程清楚,理论充分,这种分析方法以前是没有的.

简介：摘要“晶闸管直流调速装置”在工业生产中已得到广泛应用，这次研发本身既具有实际生产上的使用价值，更具有教学实验方面的应用价值。该直流调速系统为电力电子、直流调速等课程教学必备的设备，该设备设计、制作、调试、安装的整个过程都符合现代职业教学理念，把电气类的相关课程知识融合到一个项目里面，进一步促进了学校的教学改革，为学生的项目学习提供了参考。

简介：“湿件”是科幻小说里经常提到的一个术语，指由生物组织和机械零件共同组成的设备。而在现实中，科学家们正不断地努力实现这一设想。最近，

简介：摘要绝缘栅双极型晶体管，即IGBT近些年来获得了广泛的应用，其功率容量也不断地得到提升，甚至已经应用在高压直流输电领域。随着IGBT向高压大电流方向发展，降低其饱和压降成为了研究的重点之一。本文通过ISE仿真软件对其伏安特性进行了仿真研究，结果表明，要想获得良好的伏安特性，必须对P-阱的结深、漂移区的掺杂浓度、缓冲层的厚度及其掺杂浓度进行优化。

简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：摘要：当前功率MOSFET芯片结构普遍为平面VDMOS及沟槽栅型MOSFET，无论何种结构，在产品的封装、筛选、运输、使用过程中，产品会出现不同的失效情况，本文将对平面VDMOS及槽栅型MOSFET在过流、过压、过功率以及静电失效模式下的参数失效模式及芯片表征现象进行详细描述，并根据产品产生失效的原因提出相应的解决方法。