简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：北高智科技有限公司日前与台湾威盛科技（VIA）正式签署产品代理协议，从而成为VIA在中国大陆地区的正式代理商。据介绍，在由USB带来的电脑外接系统高速发展之前，VIA在其生产的逻辑芯片内部装上了USB1.1。此次北高智将与VIA合作，则旨在PC方面共同开拓广阔的中国大陆市场。

简介：为进一步提高C网基站维护服务质量，8月以来，重庆通信服务渝北分公司认真总结承接C网维护以来的经验教训，以观音桥维护中心为试点，着力打造C网维护示范站。力争为C网维护提供标准化、规范化基站范本。

简介：在目前的音响领域，“时尚”是一个被频繁使用的单词．从数百元的音箱到数万元的放大器都被冠以时尚，成为人人可用，最没有标准的词汇，是否能听、不能听已经无所谓了，于是，音响器评文章中常常出现的“时尚”两字往往是作者两难的应付之词。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：产品简介：“指针-M”发光二极管交通信号灯是一种升级了的道路信号设备，具备发光二极管黄光谱强光源，应用了很高的光电技术。

简介：安捷伦科技公司日前发布Agilent6150B系列单四极杆液相色谱／质谱联用仪（LC／MS），是此类耐用型仪器的最新一代产品。6150B系列具有相当高的样品通量及灵敏度．在同类产品中具有出无可匹敌的优异性能。

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：近日在北京移动综合即时通信中的WV和POC工程招标项目中，东信北邮信息技术有限公司（EB）凭借其成熟的技术和优质的服务，在众多竞争者中脱颖而出，一举中标。综合即时通信是中国移动提出的集即时消息和POG功能为一体的新业务，由东信北邮承建的WV和POC平台主要提供综合即时通信业务中WV客户端协议适配和POC功能，通过WV和POC平台与现有综合即时消息平台系统协同工作，为用户提供综合即时通信服务。东信北邮于2002年就开始了移动即时消息业务和POC业务相关标准和产品的研究与开发，其产品符合OMA标准，并支持中国移动综合即时通信业务的相关规范。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：Atmel推出的激光二极管驱动器（LaserDiodeDriver）ATR0885，可用于合并HD—DVD／Blu—ray、DVD、CD播放器和个人电脑只读存储器（CD—ROM）驱动器。自从新的ATR0885以极小封装推出以来，特别适合笔记本电脑上应用的小型SLIM驱动器以及桌面型电脑和DVD播放器中的半高驱动器。

简介：MOTOROLAP2K系列手机出现“无信号”故障，大部分是由于U900(电源IC)无法输出V—BOOST(5.6V)电压造成，只要将U900换新即可解决，但有些机型的U900是封胶的，取下很容易造成主板断线而报废，而且U900往往只是无法输出V—BOOST(5．6V)电压，其它功能均正常，弃之可惜，为此有人就加上一个能产生5V电压的电路(如以前768改768C用的升压电路)，确实能很好地解决该问题，可就是该升压电路有些难找。笔者经多次实验，找到了一种更简洁的方法，只要增加一个二极管、一个电容(电容可在原机上拆得)和一根漆包线即可解决问题。

简介：

简介：近日，在北京会议中心，北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室和长飞公司光纤光缆制备技求国家重点实验室联合，成功承办了全球三大光通信会议之一——2013丰度亚洲光纤通信与光电国际会议（ACP’2013）2013年度信息光子学与光通信国际学求会议（IPOC’2013）。