简介:为了降低ε型六硝基六氮杂异伍兹烷(ε-HNIW)的感度,提出了一种以液态CO2作为反溶剂的新的包覆方法,该包覆方法解决了水悬浮法对溶剂的选择局限性大的问题。对ε-HNIW包覆前后进行SEM、XRD和FT-IR分析,研究表明:选用这种新的包覆方法,氟橡胶、ESTANE和EPDM包覆剂能均匀包覆于ε-HNIW的表面;偶极矩-极性大的包覆剂溶剂使ε-HNIW包覆后转变为α-HNIW晶体;随着包覆剂添加量的增加、或系统压力的降低、或温度的升高,ε-HNIW复合颗粒的分散性越差,球形造型粉颗粒度越好。对ε-HNIW包覆前后进行撞击感度测试表明,相同包覆剂添加量情况下,3种包覆剂降低ε-HNIW感度的大小顺序为:ESTANE〉FE26〉EPDM。
简介:主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。
简介:采用HSiCl3—NH3—N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222kJ/mol。随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。