简介：在强脉冲裂变中子-伽马混合辐射场中,通常利用反冲质子探测系统对高能中子进行测量,如何提高探测系统的信噪比是设计的关键。采用MCNPX程序,模拟输入watt谱,对系统的结构进行了优化设计,其中包括：靶和PIN探测器的直径、厚度、放置角度,靶腿角度,靶室镍窗厚度以及辐射屏蔽结构等。结果表明,减小PIN探测器厚度以及靶腿角度可显著改善系统的信噪比;减小镍窗厚度以及采用阶梯状喇叭口屏蔽也可有效提高系统信噪比。

简介：本文在评述低温绝对辐射计和SIRCUS发展的基础上，讨论了基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源的工作原理、发展与应用前景。在探测器型光谱辐射标准研究方面，工作在液氦温度的低温绝对辐射计不确定度达0.01％。美国国家标准与技术研究院（NIST）建立的均匀光源光谱辐照度和光谱辐亮度响应度定标装置（SIRCUS）采用一系列激光器，由低温绝对辐射计传递的硅陷阱探测器定标，不确定度已达到0.1％，成功应用于空间遥感仪器高精度辐射定标。分析认为，发展中的基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源，定标精度高，自行校正老化、衰减，保证了定标精度长期稳定。

简介：现代电子电路受到诸如HEMP、UWB-EMP、HPM和SGEMP辐射时，轻则引起电路的瞬时扰动，严重时导致系统功能完全失效。本文研究了同一单片机电路在HEMP、HPM和UWB-EMP辐射下的灵敏度。

简介：用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

简介：为使大口径天线能够正常辐射几十纳秒甚至几纳秒的微波脉冲,通过数值计算,获得了大口径天线主轴方向不同距离及偏离主轴不同角度处,辐射场波形脉冲宽度及电场强度幅值随微波激励脉冲宽度的变化关系;同时,还获得了不同口径尺寸天线辐射场波形脉冲宽度及电场强度幅值随偏离主轴不同角度的变化关系。结果表明：在口径天线远场条件下,天线主轴方向的辐射场波形无畸变;偏离主轴,辐射场波形会出现不同程度的脉冲展宽及幅值减小等波形畸变现象,偏离主轴角度越大,激励脉冲宽度越小,畸变越严重;在10dB波束宽度范围内,不同尺寸口径天线的辐射场波形不变。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：TN252005021208偏振串话与偏振保持参数及其依赖关系=Polarizationcrosstalkandpolarization-maintainingparameter[刊,中]／蔡春平(西安应用光学研究所.陕西,西安(710100))//电光与控制.-2004,11(3)．-69—72偏振串话与偏振保持参数既有联系又有区别,偏振保持参数是偏振串话在一定的光谱宽度内的统计平均。本文主要叙述偏振串话与偏振保持参数及其依赖关系。图10表3参5(严寒)

简介：TN252005010346多模光纤偏心激励的横截面场分布=Cross-sectionalpow-erdistributionofoffsetfaunchedmultimodeopticalfiber[刊,中]／毕晓峰(东南大学电子工程系.江苏,南京(210096)),杨春…∥电子器件．-2004,27(1).-184-188计算并测量了阶跃多模光纤偏心激励的横截面场分布。用光线追迹法计算了不同的激励源偏心距离和光纤长度时,光纤出射端横截面的场分布。用CMOS光探测器

简介：为提升自行开发的粒子输运蒙特卡罗模拟软件PHEN对电子输运模拟的处理能力，根据厚靶轫致辐射（thick—targetbremsstrahlung，TTB）模型，在PHEN中加入了自编的TTB模块，分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围。通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比，验证了TTB模块模拟电子输运的正确性。计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化，用于判断使用TTB模块模拟的合理性。计算结果表明：当材料尺寸小于电子在材料中的射程时，TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的，应采用压缩历史算法处理电子输运；当材料尺寸大于电子在材料中的射程时，TTB模型计算速度快，计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好，可用厚靶轫致辐射处理电子输运。

简介：依据量子信息学和量子计算基本理论，在研究低剂量I射线与神经细胞的相互作用规律及物理机理时，将神经细胞骨架微管中的两种蛋白构型视为两能级原子体系，使用密度矩阵描述脑神经系统中信息位的状态，建立并求解系统的动力学方程。结果表明：随密度矩阵非对角元素的减小，系统的量子相干性迅速降低。因此，低剂量I辐射可以影响受照者的脑神经功能。

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：本文针对核辐射探测实验中所获取的实验数据量大、处理复杂的问题,提出了用实验教学软件通过计算机判断所获取的核辐射探测实验数据,为学生做实验时所获取的实验数据的正确与否做出直观、方便、快速的判断,从而提高实验教学质量.

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：设计了一种基于微控制器的RadFET辐射剂量测试系统,介绍了系统的测试原理和方法,通过测量阈值电压的偏移值可得到吸收剂量。利用60Coγ辐照测试系统进行了试验验证。试验结果表明：该测试系统能够实现宽范围辐射剂量测量,同时该系统也可用于其他MOSFET器件阈值电压的测量,尤其适用于辐射剂量的长期测量或者实时测量。

简介：地表温度直接影响着城市地表热场的分布和地表气温的高低,从而影响城市小气候环境。在太阳辐射条件下,利用红外测温仪连续观测桂林市不同绿化植被种类、水泥地、干燥裸土的表面温度,研究不同植被种类由于蒸腾作用不同所造成的表面温度差异,为城市绿化降低城市地表热场的热效应而合理选择植被种类。结果表明,樟树、紫荆等叶片的面积较大或者叶片表面的角质层较少,蒸腾作用较强,其表面温度日最高值低于裸土、水泥地分别约6℃、14℃,降温效果较显著;次之桂花、银杏和竹子的表面温度日最高值低于裸土、水泥地分别约4℃、12℃;棕榈、草地的蒸腾作用相对较弱,其表面温度日最高值低于裸土、水泥地分别约2℃、10℃,降温效果较差。

简介：介绍了国内外极低辐射本底实验现状,总结了对材料放射性筛选的要求和实现手段,给出了相关实验中探测器、屏蔽体、电子学部件等材料的放射性水平。可以看出,筛选材料放射性的手段,主要有低本底γ谱仪分析、辉光放电质谱分析及电感耦合等离子体质谱分析;对大部分材料的放射性比活度要求在mBq·kg^-1量级;对探测器材料和内部屏蔽体材料铜的放射性要求更高,放射性比活度需达到0.1-1μBq·kg^-1。

简介：本文基于子弹飞行过程中的红外辐射特性和热成像模型,结合大气对红外辐射吸收和散射衰减,在不同距离处将子弹热成像模型视为扩展源目标和点源目标,利用最小可探测温差（MDTD）、最小可分辨温差（MRTD）和噪声等效功率（NEP）分别给出了相应红外视距模型的估算方法。根据红外热像仪常用参数以3种蒙皮温度给出了3种不同模型下子弹辐射作用距离的计算实例及结果：MDTD模型下得到的作用距离最长,MRTD模型计算所得的作用距离约为MDTD模型的2/3,由NEP模型计算所得的作用距离最短,不到MDTD模型视距的1/2。研究表明,实际设计时应根据不同的系统性能选择作用距离模型。

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.