为提升自行开发的粒子输运蒙特卡罗模拟软件PHEN对电子输运模拟的处理能力，根据厚靶轫致辐射（thick—targetbremsstrahlung，TTB）模型，在PHEN中加入了自编的TTB模块，分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围。通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比，验证了TTB模块模拟电子输运的正确性。计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化，用于判断使用TTB模块模拟的合理性。计算结果表明：当材料尺寸小于电子在材料中的射程时，TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的，应采用压缩历史算法处理电子输运；当材料尺寸大于电子在材料中的射程时，TTB模型计算速度快，计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好，可用厚靶轫致辐射处理电子输运。
