简介：

简介：美国密歇根大学研究人员最近开发出一种低温制造晶体硅的新途径，有望让计算机和太阳能电池更便宜更环保。二氧化硅约占地壳总量的40％，但是将二氧化硅转变成晶体硅的工业方式不仅成本高，同时极端的加工条件带来了严重的环境污染。密歇根大学化学和应用物理教授史蒂芬·马尔多纳多说，目前现代电子产品中的晶体硅是在超过2000华氏度（约1093摄氏度）高温条件下通过一系列高能耗化学反应获得，整个过程会产生大量的二氧化碳。

简介：最近，上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队，成功研制出半浮栅晶体管（Semi—Floatina—GateTransistor，SFGT），有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上．这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。

简介：Inthispaper,polycrystallinesiliconfilmsweredepositedbyelectroncyclotronresonanceplasma-enhancedchemicalvapordeposition(ECR-PECVD)usingSiH_4/ArandSiH_4/H_2gaseousmixture.EffectsofargonflowrateonthedepositionefficiencyandthefilmpropertywereinvestigatedbycomparingwithH_2.TheresultsindicatedthatthedepositionrateofusingArasdischargegaswas1.5-2timeshigherthanthatofusingH_2,whilethepreferredorientationsandthegrainsizesofthefilmswereanalogous.FilmcrystallinityincreasedwiththeincreaseofArflowrate.OptimizedflowratioofSiH_4toArwasobtainedasF(SiH_4):F(Ar)=10:70forthehighestdepositionrate.

简介：三不同Ti-Si氧化物structuares，硅石支持了titania，硅石涂的titania和亲密地混合的silica-titania，包含10%-40%SiO2，被nanocrystalline(nc)的微观结构参数的sol-gelprocess.The变化在二进制氧化物的三kirds成为TiO2锐钛矿包括在里面飞机间距d，电池常数(a0，C0)，房间体积V，房间轴比c0/a0和水晶谷物缩放，被高决定传播电子显微镜学(HRTEM)和X光检查衍射(XRD)比较地调查。微观结构参数与增加SiO2内容显著地变化，这被发现，annealingtemperature.Different组织了Ti-Si二进制氧化物导致微观结构参数的不同变化趋势。二进制氧化物包含越多SiO2，ncTiO2锐钛矿的缺点越格子出现；Si阳离子的散开或移植能是在微观结构的变化的一个重要有影响的因素。在三种二进制氧化物的ncTiO2的谷物尺寸不仅取决于SiO2内容和退火的温度而且在ncTiO2-anatase.Both谷物尺寸和nc的阶段转变的格子microstrainand失真的度上，TiO2锐钛矿是有效地与增加SiO2内容禁止了。

简介：由微观结构和机械性质上的艾尔的Si的部分或完整的替换的效果是广泛地与多角形的铁酸盐矩阵在多相的导致转变的粘性(旅行)学习了钢，但是很少在bainitic旅行钢学习了。当为第三代的进程参数的一个函数预付高力量钢(AHSS)，现在的学习的目的是适当地在bainitic钢在bainite转变，微观结构和机械性质上调查艾尔和Si的效果以便为alloying设计提供指南。而Si增加在bainite转变动力学导致延迟，它从dilatometry学习，微结构调查和艾尔增加导致加速的张力的性质大小被显示出。艾尔的增加延迟进在使温度保持比450高的珠泽铁和碳化物的奥氏体的分解?敲牣獹慴汬穩瑡潩?湡敮污湩?慷?灡汰敩?潴愠???┶楓猠整汥琠?浩牰癯?桴?慭湧瑥捩瀠潲数瑲敩?吠敨椠灭捡?景愠?慣瑳猠牴灩瀠敲愭湮慥楬杮漠?桴?業牣獯牴'壮肭?整瑸牵?瀠敲楣楰慴楴湯愠摮洠条敮楴?牰灯牥楴獥眠牥?湩敶瑳杩瑡摥戠?汥'虪箿珵u潲敢洠捩潲愭慮祬楳?琠慲獮業獳潩?汥'虪箿珱＾驿麙盏?愠摮堠爭祡搠晩牦捡楴湯愠慮祬楳?攠'?瑉眠獡映畯摮琠慨?桴?牰'虨宫摤嫕?景猠'虦?桰獡?慰瑲捩敬?...

简介：通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

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简介：采用HSiCl3—NH3—N2（稀释气体）体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积出了Si3N4涂层，研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明，在没有稀释气体的情况下，随着沉积温度升高，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，在850℃附近达到最大值，随着反应温度的进一步升高，涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时，在所选温度范围内随着沉积温度的升高，Si3N4涂层的沉积速率一直增大，反应的表观活化能约为222kJ／mol。随着原料中NH3／HSiCl3流量比值的增大，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，随后稳定，但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内，Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。

简介：据媒体报道，日本宇宙航空研究开发机构最近首次在国际空间站制成了光学晶体。光学晶体在通信领域应用广泛。使用光学晶体制造的光纤传输特性优于传统光纤。若在地面上制造光学晶体，由于受重力的影响，二氧化硅粒子的间隔会不均匀，晶体长度最长也不会超过几十微米，而在太空则能生成构造均匀的较大尺寸晶体。

简介：位于呼和浩特市赛罕区的内蒙古晶环电子材料有限公司成功研制出一颗300kg级超大尺寸高品质泡生法蓝宝石晶体，这一成果是我国在蓝宝石晶体生长领域的重大突破。据了解，蓝宝石晶体因其优异的力学性能、良好的热学性能使其成为LED、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的衬底材料，属于国家重点支持和鼓励发展的能源材料及光电子材料。

简介：中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线科技人员在成功制备出第一根650mra长BGO毛坯晶体的基础上，通过对晶体生长设备的创新设计和工艺的持续优化，实现了超长BGO晶体产业化制备技术的重大突破。

简介：综述了掺铈硅酸钇镥（Ce：LYSO）闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状，分析了目前文献报道的晶体中存在的光输出和能量分辨率不均一等问题，提出了Ce：LYSO闪烁晶体未来研究发展的几个方向，包括Ce、Lu和Y比例优化研究、光输出和能量分辨率等不均一性研究、晶体中氧缺陷的研究、开发火焰法生长工艺的研究。

简介：据有关媒体报道，最近，中科院福建物质结构研究所叶宁研究员领导的课题组，以BeO替代简单硼酸盐中BO结构单元为思路，在构筑新型硼铍氧基团的基础上发现了一系列具有无心空间群的新型碱金属硼铍酸盐化合物，研究成果发表在近期的《美国化学会志》上。

简介：国外媒体报道,准晶体已经挑逗和吸引了科学家们长达30年,现在这个奇怪的材料组有了一名古怪的新成员：由自我装配的有机分子形成的二维准晶体。这种奇特的准晶体是扁平的,由单层的五边环分子组成。这种分子在这一层内形成组,就像微弱的氢键将彼此连接在一起。这个分子组奇特的装配方式导致这一层里的其它分子形成了各种各样的形状,包括五角形、星形、船形和菱形。

简介：为了提高Mg-3Al—0．4Mn合金的常温力学性能，研究了铸态和挤压态下Si含量对AM30合金的组织和力学性能的影响。结果表明，增加Si的添加量会生成粗大的汉字状的Mg2Si相，不利于提高合金的力学性能；但经过挤压后，呈汉字状Mg2Si相破碎，变成颗粒细小的Mg2Si相，晶粒细化，有利于提高合金的性能。

简介：合成出了西布曲明晶体，并确定了晶体为斜方晶系，空间群为Pbcn，晶体结构测定结果表明，西布曲明晶体具有手性反式结构。运用晶体化学和纳米科技的基本原理对西布曲明的纳米化药理进行了分析，通过对该配合物不同纳米尺度微粒的晶胞数、原子数、表面原子数及其比例的计算，分析讨论了微粒纳米尺度变化与化学活性的相关关系，为西布曲明药用原理提供了分析基础。

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简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。