简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：

简介：美食美递（www.meishimeidi.com）是由内蒙古润和信息技术有限公司搭建的农产品电子商务平台,平台主要功能是买方通过电子商务平台下订单,卖方按照订单需求及时的服务用户,从而实现双方的交易达成。

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

简介：FPGA既具有门阵列的高逻辑密度和高可靠性，又具有可编程逻辑器件的用户可编程性，可以减少系统的设计和维护风险，降低产品成本，缩短设计周期。文中给出了利用FPGA设计汉明距离的计算电路，同时给出与通过有效的芯片资源配置，恰当地选择存储器的总容量与加法器总数，来使整个系统的资源利用率达到最佳的实现方法。

简介：最新的应用案例阐述了一个公共的技术如何能够使陆地和海缆长途密集波分复用传送系统得益。

简介：华硕系列笔记本中有12.1寸的轻薄型机器S5N、M5N，有15寸宽屏幕的M6N，在迷你领域有10寸屏幕的S200N，那么既兼顾移动性，又兼顾性能的14寸屏幕领域呢？对了，就是这款M3N了。

简介：银黑相间，如同钢琴键，随着其双声道立体声扬声器传出的MP3音乐，营造出艺术的氛围。

简介：

简介：10月19日,广东省环境保护厅发布《旗利得电子(东莞)有限公司改扩建项目环境影影响报告受理公告》.旗利得电子(东莞)有限公司拟在现有厂房内新增部分设备和生产线,新增线路板生产能力24万平方米/年,从而使全厂线路板总生产能力达到平方米/年(其中双面板65平方米/年、多层板43平方米/年)。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：二相编码脉冲压缩信号例如巴克码和M序列已经广泛应用于现代雷达系统中。二相编码波形设计中初始移位寄存器的选择是个关键技术，它直接决定了信号波形在满足最小峰值功率下能否具有最大脉压比。基于免疫学中的抗体克隆选择，提出了用免疫克隆算法（ICSA）来搜索M序列最优初始移位寄存器值。与标准遗传算法（SGA）和一种混合遗传算法（HGA）相比，文中提出的方法有效地战胜了早熟现象，得到了更优的搜索结果。实验结果证明了此算法的可行性和有效性。

简介：由于虚假点迹较多，低信噪比的小目标跟踪较难，文中提出了一种利用先验知识改善低信噪比小目标跟踪性能的方法，该方法通过将目标和噪声的特征信息，包括幅度信息和点迹与航迹位置预测值的距离信息，与传统的点迹动力学信息相结合，重新定义点迹和航迹的似然概率，同时调整修改航迹的状态更新方程。仿真结果说明与传统方法相比，结合了特征信息的方法明显提高了小目标点迹和航迹正确关联的概率，即对目标和噪声幅度分布已知的环境，特征信息的使用可以有效改善小目标的航迹检测概率等跟踪性能。

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：去年底，华硕推出了大受好评的S5系列超轻薄型笔记本电脑，那个时候，华硕的产品经理对S5做介绍的时候就提到，未来会有内置光驱的M5系列面世，而且还向我们保证，M5同样轻薄、同样惊艳！当时的S5已经让我们很震撼，但加入了光驱的M5会是什么样呢？会更好？还是会破坏S5完美的曲线？脑子里面打了一个大大的问号。今天，解开这个谜团的时候终于到来了……

简介：AMD日前发布了RadeonR3系列固态硬盘，首次采用TLC闪存，而原来定位主流的RadeonR7系列却直接下架了。

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：

简介：一年一度的全球消费电子盛典——2011国际消费电子产品展（简称CES）在拉斯维加斯再度揭开序幕。CES堪称消费电子业界的世界杯，在百万平方英尺展区内吸引了来自2700个展商和来自110个国家约14万参展人员。多元化科技创新领导者3M公司以多种前沿科技为参展者呈现了数字沟通的变革方向以及交互和移动式交流的更高境界，由此成为展会亮点之一，受到了与会人员和全球媒体的广泛关注。