简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。
简介:近年来,太赫兹科学技术的研究已成为国内外学术界最热门领域之一,发展十分迅猛,研究成果引起了广泛关注,在全世界范围掀起了太赫兹科学研究的热潮。国际红外毫米波-太赫兹会议是本领域内最权威、水平最高、历史最悠久的会议,体现该领域发展的最前沿方向。随着太赫兹科学技术的飞速发展,该会议不断向着太赫兹领域倾斜,2013年第38届国际红外毫米波-太赫兹会议重心已全面转向太赫兹领域,全方位展现了当今国际太赫兹科学技术研究进展。本次会议也引起了国际学术界高度重视,"NaturePhotonics"在此次会议召开后1个月内即发表以太赫兹为主题的焦点期刊("FocusIssue"),对太赫兹领域研究进展进行报道。