简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：<正>功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%。MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿

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简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

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简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：随着人们绿色节能意识的提高，电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起，同时也推动了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率半导体等产品的应用变得愈来愈普及。这是导致去年下半年以来市场上出现MOS—FET等功率半导体供货紧张的重要原因之一。相关消息显示，当前市场上的MOSFET缺货潮已经延续超过半年之久，随之出现的则是涨价与交期延长。不过这种情况的出现，对于我国功率半导体行业来说又是一个难得的发展机遇，不应轻易放过。

简介：发光二极管（LED）是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件，具有一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍，重点论述了封装的关键技术，包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术，最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。

简介：随着高功率微波武器的不断发展，防护技术逐渐引起各国的高度重视。分析了高功率微波武器对雷达的毁伤途径和效果，研究了雷达防护高功率微波武器的加固方法，提出了战场防护建议。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

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简介：本文有比较地研究了线键合和区域焊接两种功率芯片互连技术的生产过程、电性能、热处理和可靠性,指出了功率芯片互连技术中线键合和区域焊接技术的优点和缺点.

简介：<正>据报道,英飞凌科技股份公司连续7年高居全球功率半导体和模块市场榜首。据IMSResearch最新报告,全球功率半导体市场规模缩减21.5%,由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减,但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位,市场份额上升1.3个百分点,达到24.3%;在北美和南美地区,其市场份额

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简介：<正>《今日电子》报导,用拥有中国自己专利技术的开关电源芯片生产的手机充电器在天津手机国际采购配套会上成功展出。南京通华电信有限公司去年七月在国内率先研制出两款投入商用的开关电源芯片,包括正在开发的PFC等三款芯片,申请有8项国际专利,使国内的制造企业生产出第一个采用自己的电源芯片的电视机、计算机电源、LCD显示器、DVD、DVB、传真机、手机充电器等产品。而成本都大大低于国外的芯片解决方案。