简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:摘要随着我国社会经济的不断发展,人们的生活质量逐渐得到了提升。生活质量的进一步提升更是使得人们对于环境问题加大了重视力度。在如今这个先进的时代当中,为促使人们的生活出行更加方便,汽车随之应用而生,且在不断的推广当中得到了人们的广泛应用与青睐。但不可否认的是汽车的到来虽然给人们带来了极大的便利,但其尾气的排放却给我国的环境带来极大的污染,因此,如何减少汽车的燃料消耗及排放逐渐成为了相关人员所需要解决的问题之一。对于汽车而言,汽车轻量化作为其中降低燃料消耗的核心,其在汽车当中的重要性不言而喻,所以,本文将针对汽车轻量化用金属材料的现状及展望进行探讨。