简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
简介:跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势,已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中,导致了较高的电流密度,在过载和动态负载条件下有十分可观的余量,而且也改善了功率循环能力。
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真
带有工作温度高达175℃的IGBT、续流二极管和整流二极管的一种新型600V整流-逆变-制动斩波模块