简介：

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

简介：

简介：WereportonastudyofinterfacialstructureofGaNfilmsgrownonGaAs(001)substratesbyplasma-assistedmolecularbeamepitaxyusingx-raygrazing-anglespecularreflection.WeshowthatinterfaciallayerswithelectrondensitiesdifferingfromthoseofGaNandGaAswereformedupondepositionofGaN.Itisalsofoundthattheinterfacialstructureofoursystemsdependsstronglyonthecourseoftheinitiallayerdeposition.ThephasepurityoftheGaNfilmswasexaminedbyx-rayreciprocalspacemapping.Asimplekineticgrowthmodelsuggestedbyourresultshasbeenpresented.

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。