简介：介绍了当前3G成熟的CDMA技术和未来4G的核心技术OFDM的基本原理和各自优缺点，分析了CDMA和OFDM两种不同技术的应用侧重，同时指出了两种技术融合的前景及前沿拓展。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。

简介：在SMT生产中，焊膏性能对焊接质量的影响很大，本文通过对几种焊膏性能的测试分析实验，探讨了焊膏性能对焊接质量所产生的影响，并提出了焊膏选用的主要原则。

简介：TinySwitch-Ⅱ系列TNY264－268IC是智能型多控制功率的开关电源控制器件，其综合性能与成本超过前几代。本文介绍该系列电路的性能及应用。

简介：本文一方面说明了在通用电力公司（AEG）产品Protect2中使用的一种新型无变压器不间断电源（UPS）的特性，另一方面，说明了它是如何通过基于16位和32位的处理器的灵活的计算机控制方法、复杂的FPGA和分布式的测量结构来实现的。

简介：1．绪论焊膏印刷是SMT工艺的关键工序之一

简介：在德国，第一台大型的变速风电机组（3MW，风轮直径达100m）诞生于1980年，但是由于机械问题，该项目并不是很成功。那时候，电力电子器件的成本相当的高，因此，风电机组就经常采用具有很小滑环的双馈异步发电机来节省电力电子器件的成本。

简介：环氧覆铜板是环氧树脂的重要而高性能的应用领域。HDI多层板有哪些发展特点，它的发展趋势如何——这都是我们所要研究的高性能CCL发展趋势和重点的基本依据。而HDI多层板的技术发展，又是由它的应用市场——终端电子产品的发展所动。

简介：近年来，我国IC产业发展迅速，己成为国家经济发展的主要驱动力量之一。

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简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展，提出了氧化镜压敏电阻器选用原则，简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。

简介：安捷伦科技（Agilent）日前推出六款首批通过LXI联盟认证的LXI（LANeXtensionforInstruments）类别A微波合成式仪器产品，该系列新产品号称为具备高性能的合成式仪器，并符合美国国防部（DoD）NxTest计划对仪器弹性化、模块化与小体积的要求。

简介：IDT公司和基于MIPS64技术的多核、多线程处理器供应商RazaMicroelectronicssInc．（RMI）日前宣布推出一款由IDT例络搜索引擎（NSE）和RMI的XLRProcessor^TM共同组成的、已经过可互操作性验证的高性能网络解决方案。该解决方案有助于系统供应商轻松地在下一代高性能的网络中应用该产品（如在高性能路由器中迅速地实现板级解决方案），同时可显著降低成本、功耗、设计复杂性和电路板空间。

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简介：传统的电容器组补偿由于响应时间慢,不能动态跟踪电网进行补偿等缺点,已经无法适应未来智能电网的发展方向,本文把SVG和电容器组进行对比,阐述了SVG的原理、技术优势和电容器组的缺点。以SVG为代表的新型无功补偿设备技术先进可靠,有广泛的应用市场前景。

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简介：产品特点：过载能力：额定电流×120％／1分钟，额定电流×150％／2秒钟风机水泵半滑无冲击启动；简易PLC功能，加旁路能实现固定工变频切换；

简介：MIPs科技公司日前宣布，Broad—Light经选择高性能MIPS3224K内核作为其新型GPON系统级芯片（SoC）的基础核心。BroadLight今天还宣布针对光纤到户ffiber—to—the—home，FTTH）应用的BL2348GPON家庭网关（RG）SoC解决方案已经开始提供样品。