简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。
简介:阐述了直接转矩控制系统的发明和发展,指出其控制原理和方案的特点,特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后,对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较,指出各自的优缺点和发展方向。