简介:传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块(IPM)已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进,例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管(CSTBT)实用化,这些改进为低成本,高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIPIPMs的功率已经能达到3.7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展,将其用于额定电流从10A到25A的1200VCIB模块,该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIPCIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3.7KW的完整逆变器包括三输入整流器,闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC,所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装,可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。
简介:跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势,已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中,导致了较高的电流密度,在过载和动态负载条件下有十分可观的余量,而且也改善了功率循环能力。