简介：

简介：7月6日，7月6日，高斯国际宣布任命罗杰斯（BillRogers）先生为信息系统副总裁及首席信息官（CIO）。他将负责领导高斯国际全球信息系统的工作。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：上海慕尼黑电子展于3月14日一16日在上海新国际展览中心举行，作为一家集研发、生产和销售为一体的世界著名电源模块制造商，广州金升阳科技有限公司参加了此次盛会。在展会上，金升阳以“为智慧城市注入‘源’动力”为主题，结合新能源发电、环保用电等智慧城市焦点，

简介：随着近年来液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸，高压LCD驱动日渐受到市场的关注。该产品生产中采用了埋层注入和外延工艺，作为N型搀杂的锑注入其工艺稳定性直接影响了外延层的位错／层错缺陷。原先的锑注入监测工艺周期时间长成本高，为了寻求一种更适用于量产的监测方法，文章对锑工艺区别于其他N型注入工艺监测的原因做了进一步分析，提出了一种改进的监测方法，通过低温快速热退火实现了短周期，剂量敏感且具有良好重复性，易于量产。

简介：本文从实际应用的安全性出发，介绍了SQL注入式攻击的基本原理，结合．NET框架下安全应用的基本原理，提出了一套完整的基于．NET的预防SQL注入攻击安全策略，对实际操作进行安全指导。

简介：基于标准0.18μmCMOS工艺,提出并验证了一种改进的用于多相位振荡器的耦合方法。将一种先进的自注入耦合（SIC）技术,用于耦合两个电流复用差分压控振荡器（VCO）。相比较于传统的并联耦合正交VCO（QVCO）而言,所提出的采用SIC技术的QVCO在没有增加功耗的前提下,表现出了更低的相位噪声。所提出的SIC-QVCO在16.41GHz振荡频率下,相位噪声为-119.7dBc/Hz@1MHz,并且调谐范围高达1.66GHz,直流电源电压和电流分别为1.8V和5.28mA,芯片尺寸为0.3mm×0.9mm。

简介：注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验，测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程，即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程，并且在变化的过程中电流的变化范围很小。

简介：摘要低渗透油田具有低渗、低压、低产的特点，通过掌握注入剖面情况可以了解产出状况。要不断引入先进技术，才能确保工作顺利开展，取得更好的效果。文章介绍了几种不同的方法，可以发挥出有效作用，从而推动油田事业可持续发展。

简介：无滴水定力,何来石穿之果？无耐寒定力,何来梅花浮香？“专注于PC13化学品一追求卓越,开创无限”,是正天伟人孜孜不倦的目标凭借着“水滴石穿”的不懈坚持,正天伟由小到大,厚积薄发,汇聚万千细流而呈奔涌之势。

简介：利用边界元法编制了计算磁控注入枪的程序，并使用该程序设计和模拟一个工作在35GHz，70kV，10A基波回旋放大器的单阳极磁控注入枪，得到较好的计算结果。并给出了工作电压、磁场分布对电子束性能的影响。结果表明，边界元法在分析磁控注入枪系统和回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：近日，2013第五届北京国际城市轨道交通建设运营及装备展览会（METROCHINA2013）在京举行。莱姆电子（中国）有限公司亮相铁路展，并为众多行业领先企业带来创新的技术和高质量的电量测量解决方案。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：江苏中科君芯科技有限公司是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技仑业。公司成立于2011年底，依托中国科学院的科研团队和研发平台，结合海内外的技术精英以及专业的市场管理团队共同组建而成。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：CommunicAsia2014/EnterpriselT2014展览会定于2014年6月17日至20日重返新加坡滨海湾金沙，将聚光灯再次投向整个通信生态系统中涌现的创新技术。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。