简介：上期845摩机一文（《音响世界》第181期《精雕细刻成大器——845单端放大器打摩记》）的结尾段曾提及我还有些想法要实施，现经一段时间休整后又提上日程。在上一期的文章中就曾提及每级之间推动力的配合问题，也因此将300B的推动胆由5881A改为EH的6H30Pi。在诸多的想法中，现在最迫切的是要验证在我的系统中，300B与845两级之间推动力的配合是否已最合适。

简介：金属和金属化合物多年来一直在塑料生产中扮演重要角色。它们多不是以化学键的形式和聚合物基质结合，而是以包囊的形式存在在其中。所以在长期的使用过程中会慢慢释放到周围环境中。同样的，当处置塑料垃圾的时候，不管是通过焚烧还是掩埋的方式，从塑料中释放出的有毒金属元素都会对大气或土壤造成污染。所以塑料制品对环境负责的做法就需要对塑料生产，回收利用和处理过程的每一个环节都对重金属予以注意和监控。

简介：

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简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：10月29日，中国电信重庆公司首批去IOE小型机设备正式下线，标志着重庆公司“告别小型机”时代正式来临。“去IOE”是指使用以“x86的硬件＋开源软件”为代表的互联网化技术架构，替换传统IT平台部署中以IBM设备为代表的小型机、以Oracle数据库为代表的商用软件、以及以EMC设备为代表的高端存储设备。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。