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Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

作者：
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2009-05-15
出处：《电子元器件应用》 2009年第5期

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。
标签：功率MOSFET 低导通电阻第三代通道 SO-8封装 Inc

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