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简介：罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。

简介：勃姆石有好的耐热性和低的硬度，本文对比了勃姆石和氢氧化铝对覆铜板耐热性和阻燃性的影响，并研究勃姆石不同添加量对覆铜板剥离强度、吸水率、热膨胀系数和介电性能的影响。

简介：日前，国内专业的电力电子盛会上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIMAsia2014）于6月17日至19日在上海世博展览馆隆重举行。PCIMAsia被誉为“亚洲最大规模的电力电子核心部件以及相关制造业产品的最佳展示平台”。作为全球领先的电量传感器制造商，莱姆电子（LEM）携基于开环霍尔ASIC技术的HO系列传感器新品亮相展会，为工业领域带来创新性和高性能解决方案。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。

简介：Molex公司推出的EZ—Conn连接器间距仅为1．5mm，为工业传感器应用提供了业界最小的间距。该产品具有简便的引线终端，易于现场安装，且成本低。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

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