简介：PCB网印过程中，会发生各样的故障，它既影响生产又影响网印质量。产生故障的原因很多，不但与操作人员的网印技术高低有关，而且也与印料、承印物的性能、网印方式、网版质量、刮板等有关。如果网印操作人员的技术不熟练，工作质量不高，则容易发生网印故障。同样，如果印料、网版、刮板、网印机、网印环境等不好，也会产生网印故障。

简介：本文阐述了变频器的常见故障，并针对常见故障提出了解决措施。

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：由于铝对人类的危害，防止铅污染已成为世界潮流。无论市场趋势还是国际立法部兮使电子装配中逐步缩减铅的使用，可见，无铅焊接在中国、在我们每一家公司的实施势在必行!实施无铅焊接涉及的材料有元器件、PCB、焊接材料、助焊剂等，同时对设备和工艺也提出了更高的要求。我公司在推行PCBA装联无铅化的工作上，已经有了实质性的进展。

简介：IGBT有源电压控制技术（ActiveVoltageControl，简称AVC），是在IGBT控制过程中引入多重闭环反馈，使IGBT开通和关断过程中集电极一发射极电压VCB的轨迹始终跟随预先设定的参考信号，实现高压应用时GBT器件直接串联的同步工作和有效均压。本文介绍了有源电压控制技术的基本概念，串联IGBT的实验波形和相应的损耗计算。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：基于扩频CDMA技术的基本原理，提出该技术在鼠标中的实现方法，同时给出电路的设计原理图。

简介：SAC的立碑现象是由于焊膏的组分引起的，在气相焊接中，在合金的熔化温度之上时．润湿力和润湿时间和立碑现象没有关系，由于立碑现象是由不平衡的润湿力所引起的，因此这种现象是在焊膏熔化阶段形成的，而Sn95.5Ag3．5Cu1被发现具有最大的立碑率,立碑率随着Ag含量偏离3.5的程度增大而减小．DSC研究指出这主要是由于增加了焊锡中的糊状相含量，使焊膏熔化阶段的润湿速度减慢，表面张力只起了较小的作用．较低的表面张力会引起较高的立碑率．SAC中Ag的含量如果低于3．5％，如2．5Ag．更有利于减少立碑率。并减少形成Ag3Sn金属间化物的风险。

简介：在现代文明中，二次电池已走入千家万户，是我们生活中不可缺少的物品。在现在市场上，主要的二次电池是铅酸电池、镉镍电池、氢镍电池和锂离子电池，本文就这些电池的发生、发展、性能、生产和应用作一简要的综述。

简介：本文首先介绍了变频器的干扰来源，然后分析了干扰的传播方式，最后给出了隔离干扰、设置滤波器、屏蔽干扰源、正确接地、采用电抗器和合理布线等六种变频调速系统的抗干扰对策。

简介：本文从二十世纪末以来电路组装技术发展的三个潮流入手，概括了电路组装技术中IC封装和板级SMT组装之间的技术融合，简要介绍了SMT环境下的焊料倒装片技术、焊料凸起形成技术和在电路板焊盘上形成凸起的倒装片技术。

简介：本文提出了基于FPGA的数字PR控制器设计方法。研究了PR控制器的特点及离散化方法。完成了浮、定点PR控制器的硬件实现。分析并解决了位数扩展、历史值锁存、系统同步等关键问题。提出的数字控制器设计流程具有普遍适用性,可应用于其他控制器的硬件实现。搭建了基于DSP＋FPGA控制系统的H桥级联型多电平逆变器实验样机。对硬件化PR控制器进行了实际验证。仿真和实验表明本文设计的数字PR控制器能够在较强电磁干扰环境中高速稳定运行。具有较高实用性。

简介：片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，

简介：本文以苯并恶嗪树脂与含磷环氧树脂复合作为基体树脂，外加磷酸类阻燃剂，以KH平纹玻璃布作为增强材料，制备了一种新型无卤阻燃覆铜板，该覆铜板的玻璃化转变温度为160℃，加强耐热性PCT(2atm水蒸气处理2小时后，经288℃浸锡)试验达到385秒，径向弯曲强度为630．6MPa，阻燃性达到UL94V0级，

简介：

简介：多通道频率检测是当前数字接收机的一种常用的频率测量方案,该方法可以较好地解决频率截获概率与频率分辨力的矛盾,并在复杂的电磁环境中具有处理多个同时到达信号的能力。文中给出了基于FPGA来实现多信道频率测量的具体方案。该方案能够充分发挥FP-GA硬件资源丰富的特点,并且易于实现并行处理,可大幅度提高系统的处理速度。

简介：PWMDC／DC转换器的设计中，为了防止出现次谐波振荡，需要引入斜坡补偿电路，而传统的斜坡补偿电路通常在加法器处会引入附加的内部反馈环路。这会极大地限制系统带宽。文中提出了一种简单的结构来实现峰值电流模式下的斜坡补偿。这样可以减小斜坡补偿中加法器对系统带宽的限制，从而可以提高系统稳定性，使转换器有更高的开关频率。仿真结果表明．这种方法能实现电压信号准确地相加。

简介：针对工程实践要求，简要分析了数字频率计和示波器的相关功能和设计原理，给出了基于AD8260大电流可变增益放大器而设计数字仪前端电路的工作原理及设计框图。最后详细论述了该数字分析仪前端电路的电路设计方法。

简介：结合INFORM／EMF转子位置估计值，采用外转子永磁同步电机（PMSM），在轻型车辆上实现了一种新型低成本的无传感器的磁场定向传动驱动系统。这样，通过满载启动转矩功能，类似于霍尔单元的他置怍感器就可以省掉。此外，为了降低硬件成本，通过低成本的直流母线旁路电流测量代替昂贵的相电流传感器，完成了基于直流母线的电流测量。在启动的时候，实施了一种经过修整的1NFORM过程，目的是在保证不出现明显的输出转矩和转子振荡的前提下，以确保转子位置在几毫秒内正确的初始化。通过批量生产的永磁电机使用，对转子几何形状在INFORM范围（低速情况下）内根据过载能力作了优化，优化算法采用数值场计算方法，以秒为迭代步长（MAXWEI．L2D）．并给出了在一个轻型车辆上的实现及测试结果。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。