简介：本文报道了纳米Gd2O3:(Ce^3+,Eu^3+）的紫外以及真空紫外（UV－VU）的激发光谱及其选择激发下的荧光光谱。这些光谱实验表明，除了Gd2O3,E^3+离子之间的能量传递外，还存在着Gd^3+与Ce^3+、Eu^3+间的能量传递，即存在Gd^3＋→Ce^3+→Eu^3+三种稀土离子间的级联传递。

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简介：本文利用扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）的方法对重闪烁体PbWO4微晶进行了研究。通过测量Pb和W的L吸收边的EXAFS谱，主要研究了PbWO4中Pb^2+和W^6+的近邻结构。结果表明，W周围氧离子的配位数和键长没有显著变化，而Pb周围氧配位数和分布则有改变，说明其中可能有间隙氧存在。同时也简要讨论了间隙氧对PbWO4发光的影响。

简介：本文介绍我们近一年来开展单个流体包裹体同步辐射无损分析研究所取得的进展，建立适合分析包裹体的微区光斑观测和地准系统，解决样品的制备问题，对一批典型的流体包裹体的微量元素分布作了探测，并由较大包裹体发展到较小包裹体，由定性分析逐步发展到定量分析研究。

简介：流体包裹体保留了古地质时期流体的原始组成，为矿物形成提供有价值的物理化学信息，对单个流体包裹体的无损成分分析，成为国际地学领域的重大前沿课题。同步辐射X射线荧光(SRXRF)微探针以其在微量和微区分析上的优势为这方面的研究提供有力的工具。我们在北京同步辐射装置(BSRF)的3WIA新束线上，用这种微探针开展了单个流体包裹体无损分析的实验研究。用特制的狭缝系统，从能量为3.5-35kev的同步辐射X射线中得刮10×10μm^2的微束，通过显微对光调整使它入射到选定的大小适当的单个流体包裹体样品上，其所产生的荧光用来确定流体中所含元素的丰度。用NIST612标样，测定了目前实验条件下元素的最小检测限(观测时间为1000秒)，检验了这种方法的可行性。在此基础上，对一组典型有机包裹体样品分别单个作无损成分分析，给出了K、Ti、V、Cr、Kh、Fe、Ni、Cu、Zn、Rb、Sr、Y、Zr和Pb等14种元素的半定量测试结果，并说明这些结果可用来研究包裹体所在储层的沉积环境以及包裹体形成时捕获的油气的母源问题。

简介：论文介绍在北京同步辐射装置（BSRF）的实验条件下，用同步辐射X－射线荧光微探针对单个流体包裹体作无损成分分析实验探索，包括样品的制备、流体包裹体鉴别和选择及在工作平台上对它们作显微对光、进行探测等。在20μm×10μm和10μm×10μm束斑下对几种类型流体包裹体作了测试分析，结果表明，矿物包裹体与主矿物中所含的微量元素的种类比较一致，只是在含量上有明显区别，它可以指示某种金属矿床和某种伴生矿的存在；而储集层中不同油井和层位的有机包裹体中所含微量元素的特征，可用于研究油气的成因和演化。

简介：本文简述流体包裹体研究的意义。介绍在BSRF的实验条件下，用同步辐射X射线荧光微探针对单个流体包裹体作无损成分分析实验探索，包括样品的制备、流体包裹体鉴别和选择及在工作平台上对它们作显微对光，进行探测等。在20×10μm^2和10×10μm^2束斑下对几种类型流体包裹体作了测试分析，并对结果作了讨论。

简介：本实验的目的是研究北京同步辐射装置（BSRF）的XRF实验装置对地质样品中的元素、特别是对轻元素的检测能力，并探讨利用目前这套装置检测流体包裹体样品时的若干问题。样品是以国家标准物质GBW07106为基体，加入一定量的NaCl,KCl，混合均匀后压制成的厚样片。测量在BSRF的XRF实验站进行，储存环电流约为40mA。样品与Si(Li)半导体探测器的距离为2cm。同步辐射源的束斑为20×20μm^2。实验在大气条件下进行，采谱时间为200秒。计算了各元素的相对检出限、采样深度、采样量和绝对量检出限（达10^-8-10^－10g)；并讨论了现有条件下分析流体包裹体样品时的可测量元素范围、包裹体深度的测量方法及深度对元素XRF强度的影响，实验设备的最佳几何配置等问题。

简介：本文介绍了同步辐射光源的特点，以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果，扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

简介：油砂是储层中显示油气的主要矿物之一。本文描述了柴达木盆地油砂中油气层组N12/N^21单个流体包裹体特征．给出了它们的SRXCRF微束无损分析的结果。对同一层位的共同性及不同层位间的变化特点作出了讨论．

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简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

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