简介：运用虚拟仪器编程语言Labwindows/CTI实现对物理实验课程的演示教学,满足大、中学物理实验教学的需要.

简介：本文对在物理实验教学中如何应用微机来提高教学效果进行探讨。对实验教学具有指导意义。

简介：本文阐述了物理实验课程教学改革的构思和试点进展情况；改变了传统的实验课教学模式

简介：引入了液压法测量杨氏模量,用液压微位移放大原理来表征微小变化量,用液压微位移放大器对传统的实验装置进行改进,通过实验原理、误差分析,结合测量结果,对此实验方法进行分析与讨论,由此给出了一种测量杨氏模量新的方法。

简介：分析了目前激光单缝衍射光强分布测量中存在的问题，给出了两点改进的测量方法：一点测量技术上的改进和一点实验仪器上的改进更新。用改进后的实验仪器较好地测量得到各级明条纹的光强分布。实验测量结果与夫琅和费衍射理论模拟结果吻合较好。

简介：探究滑动摩擦力的大小跟哪些因素有关的实验，广东中考分别在2006年和2010年进行考查．我市考查结果所显示的难度系数分别为0．49和0．57，比当年全省显示的0．54和0．6难度系数低．结合广东省中考试题，纵观全国各地对本实验的考查，其基本特点是，着眼于学生的能力．本文以培养学生能力的视角，对全国部分地区的相关考题进行综述．

简介：基于反射原理,研究由三块三平面镜组合的直角三面镜的成像特点和规律。通过作图,讨论和研究直角三面镜的成像作图规律。该讨论和研究对理解多平面镜组合成像规律及应用有一定指导意义,丰富了教学和实践活动。

简介：探讨利用Authorware设计与制作大学物理动态演示实验CAI课件的问题,并通过《磁场对运动电荷的作用》的演示实验的课件予以说明。

简介：实验教学是培养学生创新能力的重要途径，本文探讨如何加强探究性实验、研究性实验、设计性实验及实验过程中渗透科学研究方法等，从而培养学生的创新意识、创新精神、创新思维能力及创造力。

简介：本文通过开放型物理实验的教学实践及调查研究，论述了开放型实验的一些优点及其实行之初存在的一些问题，指出开放型实验具有强大的生命力，提出实验教学模式的创新是无止境的。

简介：介绍“中学物理教学法”实验教学改革的几点做法及其效果。

简介：2002年初在HPM脉冲压缩实验中用微波自击穿开关和储能切换法脉冲压缩技术获得了功率339MW，脉宽11．4ns，功率增益79．5倍，重复频率12．5Hz的微波脉冲输出。为了进一步提高脉冲压缩系统的稳定性和输出功率水平，提出了HPM脉冲压缩双路并联功率合成的最新方法，在2004年内进行了实验系统的调试及初步的实验研究工作。

简介：讨论了如何在物理实验课中贯彻启发性教学原则

简介：利用MacronediaFlash8软件等设计制作了弦振动研究实验的仿真课件,课件包括实验目的、实验原理、实验仪器、实验内容、实验演示、模拟实验、和思考拓展七个部分。本课件逼真地模拟实验操作的整个过程,同时,该课件具有较强的交互性,学生可以根据实验步骤,自己模拟操作实验,实现实验操作的开放性。从而增强学习者的学习兴趣,激发学生的学习热情,提高学习效率,对提高教学质量,改善教学效果,改变传统的教学模式有着积极的作用。

简介：物理演示实验主要是教师用物理仪器和实物进行的实验演示，还包括教师在课堂上出示模型、实物，用投影教具进行操作演示，放映物理录像片、电影片、幻灯片等声像教学片以及利用信息技术进行模拟的演示．新一轮物理课程与教学改革要求重构新型的物理演示实验教学理念，演示实验教学的目的开始从知识本位和训练技能本位转变到以学生发展为本；

简介：九年义务教育《物理课程标准》将内容标准确定为：科学探究与科学内容两大部分．其中首次将科学探究作为内容标准，注重了对学生实验探究能力的培养．电学知识是初中物理教学的重要组成部分，在历年的中考物理试题中，关于电学知识的考查均占有较大的比例，随着新课程的实施，电学实验探究题的比例呈现上升趋势．电学知识中不仅涉及定律、公式，

简介：实验探究A与B两量之间的关系时，当A量无法直接呈现或呈现不便时，我们常常先用与A量存在一定关系的C量去替代A量或把A量转换成C量（下文统称为“替换”），然后实验探究C与B两量之间的关系，在此基础上再归纳总结得出A与B两量之间的关系．解答这类“替换”实验探究题时，应注意下面三个方面．

简介：针对传统大学物理实验教学中的利弊,在探究式教学理念指导下,通过对传统大学物理实验项目进行教学设计而开展探究式教学。实践证明把探究教学运用于大学物理实验教学,有利于培养学生进行科学探究的能力和对科学探究的理解力,提高实验教学质量。

简介：分析了光拍法测量光速实验中对测量结果精度有影响的几个因素,通过实际实验测量数据对比表明,实验中这几种影响因素应给予重视,同时提出解决影响因素方法.

简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。