简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40~60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015~1016cm-3.
简介:絮凝微滤组合(简称CMF工艺)是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺,并对^241Am,^238U,^235U,^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上,研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U,^239Pu,^241Am低放废水及含裂片核素(主要为^90Sr、^137Cs)低放废水(放射性总活度小于4×10^4Bq/L、总固体含量小于10mg/L)进行处理,处理能力0.5m^3/h,每次处理水量不大于100m^3,