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  • 简介:Ⅱ型终端组件由窗口、晶体、透镜、过渡段4个模块组成,直接与靶室相连,是整个原型装置非常重要的组成部分,它的装校精度直接影响原型装置三倍频输出能力。Ⅱ型终端组件最终装校精度主要取决于透镜的精密定轴和晶体最佳匹配角的离线精确测量。目前,重新开展对终端组件精密装校工艺研究和流程设计,目的是改进原有装校方式,降低晶体装配中的应力,同时根据今年试验的需要制定符合两种不同取样方式的精密装校工艺流程。

  • 标签: 工艺流程 装校 组件 终端 Ⅱ型 原型装置
  • 简介:在外加注入信号的速调型相对论返波管的基础上,通过在注入腔和谐振反射器之间插入两个调制腔,提出了一种带双调制腔的速调型相对论返波管.双调制腔实现了对电子束的调制,增加了电子束在双间隙提取腔内的一次谐波电流幅度.与外加注入信号的速调型相对论返波管相比,功率转换效率从48%提高到57%,控制10GW输出微波相位所需的注入信号功率从10MW减少到0.8MW,注入口的泄露功率从120MW缩小到35MW.

  • 标签: 高功率微波 相对论返波管 慢波结构 相位控制 预调制
  • 简介:TN305.72005032365硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabricationofsilicon-basedmicrostructuresandtheirapplicationinmi-crochipsE刊,中]/孙洋(清华大学深圳研究生院.广东,深圳(518057)),钱可元…∥半导体光电.-2004,25(6).-477-479,483基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻

  • 标签: 衍射光场 飞秒激光 光刻胶 激光微细加工 光学工艺 抛光液
  • 简介:低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。

  • 标签: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
  • 简介:材质为2A14铝合金深孔杯形毛坯件,由于壁薄,材料热变形温度范围窄,合金流变困难,若采用常规锻造的反挤压成形方法,势必造成杯体内、外壁变形不均,温度下降过快,变形抗力大,成形难度较大。等温成形工艺是零件毛坯精化和优化的一个重要途径,但对设备和模具的要求较高,成本高。因此运用有限元数值模拟结合试验对铝合金杯形件挤压成形工艺进行可行性研究,以减少研究试验成本。

  • 标签: 成形工艺 等温挤压 铝合金 杯形件 有限元数值模拟 试验成本
  • 简介:分析了等效中子注量在线测量系统研制的要素,确定了探测器制作、连接、退火、数据采集等关键工艺,研制了等效中子注量在线测量系统,实现了探测器的小型化以及多路测量。经实验验证,该系统的中子注量测量结果与用活化箔法测量的结果吻合。

  • 标签: 等效中子注量 探测器 双极晶体管
  • 简介:运用等离子喷涂技术制备多层屏蔽复合涂层,根据钽、钨、锡材料的物理特性及工艺特点,分别设计了自动喷涂工艺,既保证了涂层的性能,又提高了喷涂工艺的重复性;在喷涂区域使用氩气保护装置制造局部隋性气氛,简便有效地控制了涂层材料在高温等离子体喷射过程中的氧化:综合使用温度测试、力学拉伸、金相组织及化学成分等分析方法,综合考虑优化喷涂功率、喷涂距离等喷涂参数对基体温度、涂层中氧化物含量、涂层密度的影响,优化喷涂工艺参数,制备出厚度均匀、绢织致密的Ta/W/Sn复合涂层。

  • 标签: 等离子体喷射 复合涂层材料 LYL2铝合金
  • 简介:大型激光装置的聚焦光斑的光强均匀性、能量利用率和旁瓣等都有非常苛刻的要求:能量利用率需大于90%;不均匀性小于5%而且要求激光束旁瓣非常小。就当今光学技术水平而言,由于光学元件的制作精度、材料的非均匀性以及高功率激光的非线性效应等共同影响,使得激光装置输出的激光束无法满足要求。

  • 标签: 制作工艺 理论设计 相位板 大型激光装置 能量利用率 光强均匀性
  • 简介:膜分离技术具有能耗低、单级分离效率高、工艺简单、不污染环境等突出优点,在处理铀污染废水中应用前景广阔。作者曾采用混凝沉淀并结合中空纤维膜微滤(如.22μm)一体化工艺(CMF)处理含镅废水:研究了体系pH值、硫酸亚铁加入量等工艺参数的影响,并确定了最优参数;经该工艺处理后的废水中^241Am浓度小于最大允许排放浓度(1Bq/L),去污率大999.9%,去污因子1309-47600,平均浓缩倍数为190,相当于现有的两级蒸发工艺水平,并投入了实际应用,处理含^241Am废水约60m^3。

  • 标签: 含铀废水 组合工艺 膜微滤 ^241AM 絮凝 排放浓度
  • 简介:利用FMECA(FailureMode、EffectsandCriticalityAnalysis)方法对电爆管在作用过程中的故障原因、后果及影响的严重程度进行了分析,划分了严酷度类别和发生概率等级,结果如表1所示。

  • 标签: 电爆管 CA方法 FME 应用 工艺 MODE
  • 简介:电火花加工是基于工具与工件间脉冲性火花放电产生的电腐蚀现象来加工工件的,特别适用于复杂形状、特殊要求零件和难加工材料的加工。但是电火花加工r机理极其复杂,加工参数的选择在很大程度上取决于机床操作者的熟练程度,由于操作者的经验和知识所限,往往使电加工机床的性能和功能得不到充分发挥,甚至达不到加工要求。电火花加工所选取的工艺参数直接决定工艺效果,而工艺参数和工艺效果之间的关系异常复杂,解决工艺参数选择难的关键是建立一个合理有效的电火花加工选择模型,进而实现工艺参数的自动优化选取。

  • 标签: 电火花加工 选择模型 加工工艺 改进BP网络 工艺参数选择 电加工机床
  • 简介:精密垫片零件,如图1所示,零件材料为1Cr18Ni9Ti,强度大(σb=650MPa),有一定塑性。从零件尺寸精度看,φ4mm外圆为IT7级精度,φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求,冲裁断面与零件两端面有垂直度要求,普通冲压不能达到零件精度:从工序的角度看,有冲孔和落工序,剪切面粗糙度Ra≤3.2μm,属于光洁冲裁范畴;另外,技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤,且光滑平整。总体上看,该零件的冲压加工性不好,难度较大,对模具的设计、选材、制造要求都较高。

  • 标签: 模具设计 有限元分析 精冲工艺 垫片 1CR18NI9TI 零件材料
  • 简介:一铅铸件采用“外层块状成形冷铁配内侧整体成形冷铁”的工艺,在确定工艺参数时,如果设计的浇注充型压力、充型速度不适当,金属液就易出现紊流,导致卷入气体而形成气孔、渣孔等铸造缺陷。因此,在进行实际浇注试验前,运用华铸CAE/InteCAST铸造模拟系统对设计的浇注工艺进行了充型及凝固过程的数值模拟,分析充型及凝固过程中流动场、温度场的变化情况,以确定适合的工艺参数值。

  • 标签: 工艺应用 低压铸造 CAE系统 铸件 充型速度
  • 简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

  • 标签: 雪崩光电二极管(APD) INP/INGAAS ICP 台面型 暗电流
  • 简介:阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40~60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的充等离子体的密度范围为1015~1016cm-3.

  • 标签: 等离子体密度 预充等离子体阳极杆箍缩二极管(PFRPD) 鞘层 空间电荷限制流
  • 简介:随着经济的发展和职业教育改革的不断深入,对中职专业课提出了更高的要求。根据中职学生的实际以及中职生的特点,为了激发中职校电子专业学生的学习兴趣,提高中职校电子专业学生的综合职业素质和能力,在《电子产品工艺与装配》课程教学中采用了行动导向教学法。本文以音乐门铃装配制作为例,介绍了行动导向教学法在音乐门铃装配制作教学过程中的实践,以及实践行动导向教学的效果和学生过程性学习的评价。

  • 标签: 行动导向 教学过程 综合职业能力 实践
  • 简介:絮凝微滤组合(简称CMF工艺)是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺,并对^241Am,^238U,^235U,^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上,研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U,^239Pu,^241Am低放废水及含裂片核素(主要为^90Sr、^137Cs)低放废水(放射性总活度小于4×10^4Bq/L、总固体含量小于10mg/L)进行处理,处理能力0.5m^3/h,每次处理水量不大于100m^3,

  • 标签: 废水处理装置 工艺实验 可移动式 膜反应器 ^241AM ^239Pu