简介:文中介绍一个发射机中的“上变频”模块的设计。中频输入频率为300±100MHz,本振输入为3100MHz。射频输出为3400±100MHz。带内波纹ldB以内。杂波抑制大于30dBc。选用Hittite的双平衡混频器HMC215LP4和mini公司的放大器gail-39。为了保证发射信号频谱的纯度,抑制谐杂波干扰,在发射链路的最后一级加入了定制的腔体滤波器。测试结果表明达到了指标要求。
简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。