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9 个结果
  • 简介:1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

  • 标签: 光刻技术 时代光刻
  • 简介:  1前言  1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.  ……

  • 标签: 时代腐蚀 腐蚀技术
  • 简介:从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

  • 标签: 化技术 平坦化 时代平坦
  • 简介:1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

  • 标签: 时代离子注入 离子注入技术
  • 简介:  1前言  关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.  ……

  • 标签: 布线形成 形成技术 时代电极
  • 简介:  1前言  对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.  ……

  • 标签: 形成技术 时代栅 栅氧化
  • 简介:  1前言  所谓0.4~0.5μm时代,就DRAM而言,恰处于从64M到256M的过渡阶段.长期以来,DRAM被誉为半导体技术的"技术驱动器".  ……

  • 标签: 半导体工艺技术 时代半导体
  • 简介:摘要牛奶含有丰富的营养,但牛奶掺假时有发生。因牛奶掺假方法的多样性,所以我们应研究出对应的方法来把控牛奶的质量。对牛奶掺水问题,可采用比重瓶法、表面张力法、超声波法测牛奶的浓度。对牛奶掺杂淀粉问题,可以采用淀粉遇碘变蓝的原理准确测量。

  • 标签: 牛奶 掺假 检测技术 淀粉